[发明专利]半导体结构、高电子迁移率晶体管及半导体结构制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

一基底，具有一坑洞从该基底的上表面暴露出来；

一可流动介电材料，填满该坑洞；以及

一氮化镓系半导体层设置在该基底与该可流动介电材料之上。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该可流动介电材料未覆盖该基底的上表面。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：一盖层，设置在该基底与该氮化镓系半导体层之间，且覆盖该可流动介电材料。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，该盖层的材料为绝缘材料。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该基底为氮化铝基底、碳化硅基底或蓝宝石基底。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该可流动介电材料为旋转涂布玻璃、硼磷硅酸盐玻璃或磷硅酸盐玻璃。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该半导体结构还包括一半导体装置设置在该基底之上，该半导体装置包含该氮化镓系半导体层，且该半导体装置为发光二极管、高电子迁移率晶体管、肖特基二极管、双载体晶体管、接面场效晶体管或绝缘栅双极晶体管。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该基底的尺寸大于或等于4英寸。

9.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：

一氮化铝基底，具有多个坑洞从该氮化铝基底的上表面暴露出来；

一硼磷硅酸盐玻璃，填满所述坑洞；

一氮化镓半导体层，设置在该氮化铝基底与该硼磷硅酸盐玻璃之上；

一氮化镓铝半导体层，设置在该氮化镓半导体层之上；以及

一源极电极、一漏极电极和一栅极电极，设置在该氮化镓铝半导体层之上。

10.如权利要求9所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，该氮化镓半导体层的厚度在5微米至15微米。

11.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供一基底，该基底具有一坑洞从该基底的上表面暴露出来；

在该基底上形成一可流动介电材料；

执行一热处理，使该可流动介电材料回流至且填满该坑洞；

执行一平坦化工艺，移除该可流动介电材料在该坑洞以外的部分且暴露出该基底的上表面；以及

在该平坦化工艺之后，在该基底之上形成一氮化镓系半导体层。

12.如权利要求11所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在执行该热处理之前，该可流动介电材料部分填充该坑洞。

13.如权利要求11所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，该基底为氮化铝基底、碳化硅基底或蓝宝石基底。

14.如权利要求11所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，该可流动介电材料为硼磷硅酸盐玻璃。

15.如权利要求14所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成该可流动介电材料的步骤包括：沉积该可流动介电材料的厚度为该坑洞尺寸的0.3至0.6。

16.如权利要求14所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，该热处理的温度在800℃至1000℃。

17.如权利要求11所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，该可流动介电材料为旋转涂布玻璃。