[发明专利]凹槽底部喷胶的埋入芯片封装方法

说明书

本发明公开了一种凹槽底部喷胶的埋入芯片封装方法，采用特殊喷胶设备以胶滴的形式将UV胶喷射到凹槽底部用于贴芯片的区域，并控制喷胶头在该区域内定点喷胶的厚度，且在喷涂UV胶的同时，采用UV光源照射喷涂的UV胶，进行UV固化，固定形貌。本发明能够适应于更小芯片尺寸，从而解决了现有封装设备无法拿持0.5mm×0.5mm及以下尺寸的带DAF膜的芯片的问题，解决基板上凹槽蚀刻均一性的问题，并解决DAF膜在贴片过程中容易出现空洞，溢胶等不良的问题。另外，本发明相对于DAF膜成本更低，工艺更简单，作业效率更快，UPH可达到70pcs/h。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，具体是涉及一种凹槽底部喷胶的埋入芯片封装方法。

背景技术

晶圆级扇出型封装技术是目前延续和超越摩尔定律的重要集成技术，是国际封测领域技术竞争焦点，而芯片埋入基板技术是晶圆级扇出封装技术所应用的重要技术之一。晶圆级扇出技术由英飞凌发明，主要技术特征是借用模塑料的面积，使得芯片表面具有足够的空间布线，植球，使得焊球节距满足PCB互连要求。具体方式包括将芯片转移到基板，通过塑封将芯片嵌入模塑料重构成新的晶圆，再通过布线，植球等方式完成芯片封装。由该技术其具有多芯片、三维集成、超薄、灵活等突出优点，得到迅速发展。

现有晶圆级扇出型封装工艺为：采用硅基晶圆作为扇出基板。通过高精度硅刻蚀，制备嵌入芯片的侧壁垂直的凹槽；通过高精度减薄，将芯片减薄到100微米以下，然后背面贴DAF膜；通过高精度拿持，把带有DAF膜的芯片粘贴到基板的凹槽内；通过真空，将芯片和凹槽之间20-30微米的空隙由聚合物材料填充，同时在整个晶圆重构了一个完全平整的覆盖有聚合物的扇出表面；在对嵌入芯片的焊盘进行开口，露出；进一步利用标准工艺，制备多层布线，植球，最后进行减薄，划片。

硅基扇出型技术关键工艺之一就是贴片，这种封装工艺采用贴片机将切割后的带有DAF膜的芯片粘贴到基板凹槽内，但是现有贴片机通过气体传感器来感应芯片，目前能够拿持带有DAF膜的芯片的范围在0.5mm×0.5mm以上，对于更小尺寸芯片，需要采用更小的吸嘴，无法将带有DAF膜的芯片从切割膜取下，因此无法埋入芯片。另外，这种封装工艺在基板凹槽中埋入芯片使用DAF膜，由于DAF膜是固态膜状结构，粘贴后加热容易产生气泡，并有空洞、溢胶等现象，且DAF膜材料成本较高，作业效率较慢。此外，这种封装工艺，在基板上制作凹槽，为了使晶圆表面均一性较好，防止芯片凸起，要求凹槽底部水平度较高，然而，由于基板存在蚀刻均一性，蚀刻的外圈深度相对于蚀刻的内圈深度偏深，而DAF膜厚度又是一致的，这样给蚀刻精度带来了巨大挑战。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提出一种能够更好的适应于小芯片尺寸的凹槽底部喷胶的埋入芯片封装方法。

本发明的技术方案是这样实现的：

一种凹槽底部喷胶的埋入芯片封装方法，包括如下步骤：

A.在基板上通过刻蚀方法蚀刻出凹槽；

B.采用喷胶设备在所述凹槽内喷涂UV胶，且控制所述喷胶设备的喷胶头以胶滴的形式将UV胶喷射到所述凹槽底部用于贴芯片的区域，并控制所述喷胶头在该区域内定点喷胶的厚度，在喷涂UV胶的同时，采用UV光源照射喷涂的UV胶，进行UV固化，固定形貌，形成粘接胶层；

C.将单个或多个芯片粘贴到所述凹槽底部上的粘接胶层上。

进一步的，所述基板为硅基晶圆，所述硅基晶圆具有第一表面和与其相对的第二表面，在所述硅基晶圆的第一表面刻蚀形成多个具有设定形状和深度的所述凹槽，在将芯片埋入凹槽内并完成晶圆级扇出封装后，对所述硅基晶圆进行切割，形成单颗封装体。

进一步的，所述UV胶的喷涂厚度为1μm-20μm。

进一步的，所述UV光源安装于所述喷胶头上，与所述喷胶头同时移动。