[发明专利]一种钼坯的制备方法有效

专利信息
申请号: 201810447990.1 申请日: 2018-05-11
公开(公告)号: CN108543947B 公开(公告)日: 2020-11-24
发明(设计)人: 范荣奎;谢永华;魏春肖 申请(专利权)人: 成都联虹钼业有限公司
主分类号: B22F3/10 分类号: B22F3/10
代理公司: 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 代理人: 李蕊
地址: 610100 四川省成都*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 制备 方法
【说明书】:

发明公开了一种钼坯的制备方法。该方法包括以下步骤:(1)于160~300MPa的条件下,对平均粒度为3~4μm的钼粉进行压制,并保压3~20min,制成生坯;(2)低温烧结;(3)中温烧结;(4)高温烧结,最后冷却至室温,得钼坯。本发明制备得到的钼坯,纯度高,组织结构均匀,制成的钼箔性能稳定。

技术领域

本发明属于钼板制备技术领域,具体涉及一种钼坯的制备方法。

背景技术

由于金属钼箔材具有熔点高、强度大、导电导热性能好、热膨胀系数小等优异性质,在电子元器件、电光源、精密分析仪器、精密加工设备、以及医疗设备制造等方面得到广泛应用;在这些应用中都要求钼箔材具有:理化特性均匀一致、表面及内部缺陷少等要求,但是,采用现有工艺技术生产出的钼坯,加工的金属钼箔材表面会出现“起皮”、“剥落”、“凹坑”等缺陷,且钼箔平整度不良,以及性能不一致,最终导致在后续加工或使用中零件失效。

发明内容

针对现有技术中的上述不足,本发明提供一种钼坯的制备方法,可有效解决现有工艺制备得到的钼坯使用性能不佳的问题。

为实现上述目的,本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:

一种钼坯的制备方法,包括以下步骤:

(1)于160~300MPa的条件下,对平均粒度为3~4μm的钼粉进行压制,并保压3~20min,制成生坯;

(2)低温烧结:于600~1200℃烧结生坯60~120min;

(3)中温烧结:低温烧结结束后,以2~8℃/min的升温速率升温至1300~1700℃,继续烧结120~240min;

(4)高温烧结:最后再以2~8℃/min的升温速率升温至1800~2200℃,烧结300~600min后,冷却至室温,得钼坯。

进一步地,步骤(1)中钼粉粒径为0.5~10μm,其中粒径为2~6μm的钼粉的重量为总钼粉重量的85%以上。

进一步地,步骤(1)中生坯厚度为25~35mm,相对密度为55~60%。

进一步地,步骤(2)中低温烧结的温度为1000℃,保温100min。

进一步地,步骤(3)中中温烧结的温度为1700℃,升温速率为2℃/min,保温200min。

进一步地,步骤(4)中高温烧结的温度为2200℃,升温速率为2℃/min,保温500min。

本发明的有益效果为:

1、以采用本发明方法制备得到的钼含量大于99.98%的高纯钼坯作为制备钼板原料,减少了杂质元素对钼板性能造成的不良影响。

2、通过对生坯密度和厚度的控制,可以保证生坯密度均匀并且具有一定孔隙率,有利于钼坯在烧结过程中杂质挥发,而且也能保证钼坯烧结温度的一致性。

3、首先在低温600~1200℃的条件下进行烧结,可促进生坯中杂质挥发与残余氧化钼的氢还原得到充分完成;然后在中温1300~1700℃的条件下进行烧结,有利于形成发育完善且分布均匀地烧结晶核,为后续实现均匀烧结打下基础;最后在高温1800~2200℃的条件下进行烧结,确保最终得到具有一定晶粒尺寸、组织结构均匀,以得到实现金属化与致密化的钼坯。

4、通过本发明方法中的烧结工艺制度,有利于形成发育完善且分布均匀地烧结晶核,实现对晶粒长大速度、烧结孔形成与迁移过程进行有效控制,最终得到具有一定晶粒尺寸、组织结构均匀,实现金属化与致密化的钼坯。

具体实施方式

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