[发明专利]地感测放大器电路及其操作方法在审
申请号: | 201810448115.5 | 申请日: | 2018-05-11 |
公开(公告)号: | CN108597549A | 公开(公告)日: | 2018-09-28 |
发明(设计)人: | 廖伟男;胡展源;黄志森 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G11C7/06 | 分类号: | G11C7/06 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201315 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 位线 耦接 感测放大器电路 感测电路单元 储存单元 有效降低电路 感测放大器 系统电压源 不稳定性 低压操作 漏电电流 第一端 接地端 负缘 良率 | ||
本发明公开了一种地感测放大器电路,包括位线及反向位线;储存单元,耦接于位线及反向位线之间;感测电路单元,其具有第一、二、三、四节点,所述第一节点与所述位线耦接,第二节点与反向位线耦接,第四节点为接地端;所述感测电路单元还包括第三P型晶体管,所述第三P型晶体管的第一端接收感测放大器的负缘讯号,第三P型晶体管的第二端与系统电压源耦接,第三P型晶体管的第三端与感测电路单元的第三节点耦接。本发明降低了位线到储存单元的漏电电流,可有效降低电路低压操作下的不稳定性与避免低良率发生。本发明还公开了一种地感测放大器电路的操作方法。
技术领域
本发明涉及集成电路制造领域,具体涉及一种地感测放大器电路。本发明还涉及一种地感测放大器电路的操作方法。
背景技术
感测放大器主要是感测位线组之间的电压差值来决定读取的数据是否正确,目前广泛是使用的传统感测放大器是搭配位线组充电至高准位。但实际应用上,当传统放大器无操作的情况下,位线组都必须充电回到高准位,这样会形成从位线到储存单元的漏电路径。随着半导体制程技术往下走(28HKMG,22/20nm,鳍式场效应晶体管FinFet),漏电电流占总电流的比例将越来越高,进而影响电路在低压操作上的不稳定性与低良率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种地感测放大器电路,降低位线到储存单元的漏电电流,可有效降低电路低压操作下的不稳定性与避免低良率发生。
为解决上述技术问题,本发明提供一种地感测放大器电路,包括位线及反向位线;储存单元,耦接于位线及反向位线之间;感测电路单元,其具有第一、二、三、四节点,所述第一节点与所述位线耦接,第二节点与反向位线耦接,第四节点为接地端;所述感测电路单元还包括第三P型晶体管,所述第三P型晶体管的第一端接收感测放大器的负缘讯号,第三P型晶体管的第二端与系统电压源耦接,第三P型晶体管的第三端与感测电路单元的第三节点耦接。
优选地,所述感测电路单元还包括:第一P型晶体管,其具有第一P型晶体管第一、二、三端;第二P型晶体管,其具有第二P型晶体管第一、二、三端;第一N型晶体管,其具有第一N型晶体管第一、二、三端;第二N型晶体管,其具有第二N型晶体管第一、二、三端;所述第二P型晶体管的第一端与所述第二N型晶体管的第一端相耦接于所述感测电路单元的第一节点。
优选地,所述第一P型晶体管的第二端与所述第一N型晶体管的第三端相耦接于所述感测电路单元的第一节点。
优选地,所述第一P型晶体管的第一端与所述第一N型晶体管的第一端相耦接于所述感测电路单元的第二节点。
优选地,所述第二P型晶体管的第三端与所述第二N型晶体管的第二端相耦接于所述感测电路单元的第二节点。
优选地,所述第一P型晶体管的第三端与所述第二P型晶体管的第二端耦接于所述感测电路单元的第三节点。
优选地,所述第一N型晶体管的第二端与所述第二N型晶体管的第三端耦接于感测电路单元的接地端。
优选地,本发明还公开了一种地感测放大电路的操作方法,所述方法包括以下步骤:感测放大器处于静态;位线或反向位线需预先放电至零电压;无漏电路径从位线或反向位线到储存单元。
本发明可以达到的技术效果是:
1、不需要增加光罩而使成本增加。
2、不需要增加制程步骤而产生复杂度。
3、地感测放大器结构可有效降低漏电电流问题,使低压操作更加稳定。
本发明利用地感测放大器进行改善与稳定提升。透过地感测放大器的结构,降低位线到储存单元的漏电电流,可有效降低电路低压操作下的不稳定性与避免低良率发生。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明:
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