[发明专利]半导体元件的制造方法

说明书

本发明公开一种半导体元件的制造方法，包括以下步骤。提供基底。在基底的第一面上具有第一介电层结构，在基底的相对于第一面的第二面上具有第二介电层结构，且在第一介电层结构中具有导体层。在第二介电层结构中形成暴露出基底且位于导体层上方的第一开口。在第二介电层结构上形成挡光结构。形成覆盖挡光结构且填入第一开口的介电层。在介电层与基底中形成暴露出导体层的第二开口。在第二开口中形成电连接至导体层的接垫层。上述半导体元件的制造方法可防止用于形成挡光结构的制作工艺对接垫层造成损害。

技术领域

本发明涉及一种半导体制作工艺，且特别是涉及一种半导体元件的制造方法。

背景技术

目前，在与光相关的半导体元件的制作工艺中，会进行挡光结构的制作。举例来说，在影像感测器的制作工艺中，会先制作接垫，再制作挡光结构(如，金属栅格(metalgrid))。如此一来，用于形成挡光结构的制作工艺(如，蚀刻制作工艺)容易对接垫造成损害。

发明内容

本发明提出一种半导体元件的制造方法，其可防止用于形成挡光结构的制作工艺对接垫层造成损害。

本发明提供一种半导体元件的制造方法，包括以下步骤。提供基底。在基底的第一面上具有第一介电层结构，在基底的相对于第一面的第二面上具有第二介电层结构，且在第一介电层结构中具有导体层。在第二介电层结构中形成暴露出基底且位于导体层上方的第一开口。在第二介电层结构上形成挡光结构。形成覆盖挡光结构且填入第一开口的介电层。在介电层与基底中形成暴露出导体层的第二开口。在第二开口中形成电连接至导体层的接垫层。

依照本发明的一实施例所述，在上述半导体元件的制造方法中，第一开口的形成方法可包括以下步骤。在第二介电层结构上形成具有第三开口的图案化光致抗蚀剂层。以图案化光致抗蚀剂层作为掩模，移除部分第二介电层结构。

依照本发明的一实施例所述，在上述半导体元件的制造方法中，第一开口的形成方法还可包括以下步骤。在移除部分第二介电层结构之前，对图案化光致抗蚀剂层进行修剪制作工艺(trimming process)。

依照本发明的一实施例所述，在上述半导体元件的制造方法中，挡光结构例如是金属栅格(metal grid)。

依照本发明的一实施例所述，在上述半导体元件的制造方法中，挡光结构还可形成在第一开口的侧壁上。

依照本发明的一实施例所述，在上述半导体元件的制造方法中，还可包括在第二介电层结构中形成暴露出基底的第四开口。

依照本发明的一实施例所述，在上述半导体元件的制造方法中，第四开口与第一开口可由同一道光刻蚀刻制作工艺形成。

依照本发明的一实施例所述，在上述半导体元件的制造方法中，挡光结构还可形成在第四开口中。

依照本发明的一实施例所述，在上述半导体元件的制造方法中，第二开口与第一开口可光掩模通过相同或不同光掩模形成。

本发明提供另一种半导体元件的制造方法，包括以下步骤。提供基底。在基底上具有介电层结构，且在介电层结构中具有导体层。在介电层结构中形成暴露出导体层的第一开口。在介电层结构上形成挡光结构。形成覆盖挡光结构且填入第一开口的介电层。在介电层中形成暴露出导体层的第二开口。在第二开口中形成电连接至导体层的接垫层。

基于上述，在本发明的半导体元件的制造方法中，由于是在形成挡光结构之后，才形成接垫层，因此可防止用于形成挡光结构的制作工艺对接垫层造成损害。此外，光掩模通过本发明的半导体元件的制造方法，可降地半导体元件的制作工艺所需使用的光掩模数量，进而可降低生产成本。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。

附图说明