[发明专利]一种精确控制DLC膜层厚度的DLC膜层制备方法在审
申请号: | 201810450574.7 | 申请日: | 2018-05-11 |
公开(公告)号: | CN108505017A | 公开(公告)日: | 2018-09-07 |
发明(设计)人: | 辛存良;谢洪涛;何世安 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十六研究所 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/32;C23C16/02 |
代理公司: | 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 | 代理人: | 奚华保 |
地址: | 230043 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 耐磨零部件 真空腔体 层厚度 烘干 沉积 制备 清洗 抽真空处理 四甲基硅烷 配合间隙 特种设备 装配效率 磨加工 破真空 正己烷 轰击 离子 装配 零部件 冷却 摩擦 测量 取出 保证 | ||
1.一种精确控制DLC膜层厚度的DLC膜层制备方法,其特征在于:该方法包括以下步骤:
(1)对耐磨零部件进行多道清洗,去除耐磨零部件上的油污及表面附着物;
(2)将清洗后的耐磨零部件放在N2气氛下烘干;
(3)将烘干后的耐磨零部件放置在真空腔体中,并对真空腔体进行抽真空处理,直至真空腔体的真空度高于1×10-6mbar时,开始进行DLC镀膜;
(4)采用Ar气离子对耐磨零部件进行轰击,以进一步清除耐磨零部件表面附着物,并活化耐磨零部件表面;
(5)采用正己烷和四甲基硅烷在耐磨零部件的表面进行沉积DLC膜层;DLC膜层包括SiC层、SiC和C层、C层三层膜层,通过控制正己烷和四甲基硅烷的流量和沉积时间进行沉积膜层;
(6)沉积DLC膜层后,进行破真空冷却至室温后,取出耐磨零部件,采用外径千分尺测量其镀膜前后的尺寸变化,得出DLC膜层的厚度。
2.根据权利要求1所述的一种精确控制DLC膜层厚度的DLC膜层制备方法,其特征在于:步骤(4)中,Ar气离子的轰击时间为20min,流量为60mL/min。
3.根据权利要求1所述的一种精确控制DLC膜层厚度的DLC膜层制备方法,其特征在于:步骤(5)中,控制正己烷的沉积时间和流量分别为35min和60mL/min;控制四甲基硅烷的沉积时间和流量分别为40min和92mL/min。
4.根据权利要求1所述的一种精确控制DLC膜层厚度的DLC膜层制备方法,其特征在于:步骤(6)中,测出的DLC膜层的厚度为3μm。
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