[发明专利]一种基于ECC的FLASH数据异常处理方法及装置

说明书

本发明提供一种基于ECC的FLASH数据异常处理方法及装置，方法包括：MCU在读取或写入当前flash扇区的片内flash数据的过程中，判断读取或写入的片内flash地址是否为被保护的地址；若是，则判断是否进入异常中断处理；若是，则修正读取指令或写入指令为读取或写入下一个片内Flash地址，因此能确保系统能尽可能的在ECC发生状态下能正常运行。

技术领域

本发明涉及计算机处理技术领域，特别涉及一种基于ECC的FLASH数据异常处理方法及装置。

背景技术

EEPROM是微处理器用于读、写及更新变量的最理想的非易失性存储器。在没有内置EEPROM的微控制器里，可以将内部的Flash仿真成EEPROM来达到目的。

当前的使用的基于ECC的FLASH模块，在用于模拟EEPROM的功能时，由于数据操作异常等行为(读写不当或者一些外因，如写数据时断电等)，可能会导致FLASH进入保护模式；在FLASH进入保护模式的情况下读取异常地址的数据时，会导致控制器里的MCU复位或进入某些异常状态，最终导致控制器的功能不正常，引发危险。

发明内容

本发明提供一种至少部分解决上述技术问题的基于ECC的FLASH数据异常处理方法及装置。

第一方面，本发明提供一种基于ECC的FLASH数据异常处理方法，包括：

MCU在读取或写入当前flash扇区的片内flash数据的过程中，判断读取或写入的片内flash地址是否为被保护的地址；

若是，则判断是否进入异常中断处理；

若是，则修正读取指令或写入指令为读取或写入下一个片内Flash地址。

优选的，所述方法还包括：

将所述被保护的地址对应的Flash异常标志位置为有效，退出异常中断处理；

判断所述被保护的地址的flash异常标志位是否为有效；

若是，则将默认的无效值赋予预知的目标地址，并将所述Flash异常标志位置为无效，读取所述下一个片内Flash地址的数据或向所述下一个片内Flash地址写入数据。

优选的，判断读取或写入的片内flash地址是否为被保护的地址之前，所述方法还包括：

判断Flash扇区中所有数据条目是否有效；

若是，则向数据条目填充条目数据。

优选的，判断Flash扇区中所有数据条目是否有效之后，所述方法还包括：

若否，则判断是否所有备份扇区都查询完毕；

若否，则判断当前查询的数据条目是否有效；

若是，则重复所述判断Flash扇区中所有数据条目是否有效步骤。

优选的，判断当前查询的数据条目是否有效之后，所述方法还包括：

若否，则查找当前flash扇区的数据区，获取数据，用该数据填充当前查询的数据条目；

判断读当前flash扇区是否完成；

若是，则重复所述判断Flash扇区中所有数据条目是否有效步骤。

优选的，所述方法还包括：

生成MCU故障信息，并将所述MCU故障信息发送给显示装置，以使所述显示装置显示所述MCU故障信息。

第二方面，本发明还提供一种基于ECC的FLASH数据异常处理装置，其特征在于，包括：