[发明专利]光阻回刻制程方法有效

专利信息
申请号: 201810453005.8 申请日: 2018-05-11
公开(公告)号: CN108597991B 公开(公告)日: 2021-08-10
发明(设计)人: 李镇全 申请(专利权)人: 上海华力集成电路制造有限公司
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027;H01L21/033;H01L21/28;H01L21/311
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 戴广志
地址: 201315 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 光阻回 刻制 方法
【权利要求书】:

1.一种光阻回刻制程方法,其特征在于,所述方法用于氧化硅掩模的去除,包括如下步骤:

步骤一,提供一单晶硅衬底,其具有栅极、氮化硅掩模、氧化硅掩模、氮化硅侧墙和金属硅化物,所述栅极两侧的半导体衬底中有浅沟槽氧化硅以及锗硅;

步骤二,覆盖一层有沟槽填充能力的材质的涂层;所述沟槽填充能力的材质的涂层为抗反射层;

步骤三,光阻覆盖,曝光显影;

步骤四,氧化硅掩模回刻蚀。

2.根据权利要求1所述的光阻回刻制程方法,其特征在于,所述强沟槽填充能力的材质的材质的涂层为有机沉积层。

3.根据权利要求1所述的光阻回刻制程方法,其特征在于,所述氧化硅掩模回蚀刻步骤采用干法刻蚀。

4.根据权利要求1所述的光阻回刻制程方法,其特征在于,步骤一中采用等离子体化学气相沉积沉积氮化硅层作为氧化硅掩模层。

5.根据权利要求1所述的光阻回刻制程方法,其特征在于,步骤一中采用汽相外延完成锗硅的生长。

6.根据权利要求1所述的光阻回刻制程方法,其特征在于,步骤一中浅沟槽形成步骤为采用曝光显影工艺在氮化物层上涂覆的光刻胶层定义出浅沟槽图形,将具有浅沟槽图形的光刻胶层作为掩膜依次刻蚀氮化层、隔离氧化层以及半导体衬底得到浅沟槽,然后对浅沟槽进行氧化物填充后,进行氮化物层和隔离氧化物层的抛光处理,在半导体衬底中得到浅沟槽。

7.根据权利要求6所述的光阻回刻制程方法,其特征在于,所述锗硅生长在多晶硅栅极源漏区域的凹槽内。

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