[发明专利]光阻回刻制程方法有效
申请号: | 201810453005.8 | 申请日: | 2018-05-11 |
公开(公告)号: | CN108597991B | 公开(公告)日: | 2021-08-10 |
发明(设计)人: | 李镇全 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/033;H01L21/28;H01L21/311 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201315 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光阻回 刻制 方法 | ||
1.一种光阻回刻制程方法,其特征在于,所述方法用于氧化硅掩模的去除,包括如下步骤:
步骤一,提供一单晶硅衬底,其具有栅极、氮化硅掩模、氧化硅掩模、氮化硅侧墙和金属硅化物,所述栅极两侧的半导体衬底中有浅沟槽氧化硅以及锗硅;
步骤二,覆盖一层有沟槽填充能力的材质的涂层;所述沟槽填充能力的材质的涂层为抗反射层;
步骤三,光阻覆盖,曝光显影;
步骤四,氧化硅掩模回刻蚀。
2.根据权利要求1所述的光阻回刻制程方法,其特征在于,所述强沟槽填充能力的材质的材质的涂层为有机沉积层。
3.根据权利要求1所述的光阻回刻制程方法,其特征在于,所述氧化硅掩模回蚀刻步骤采用干法刻蚀。
4.根据权利要求1所述的光阻回刻制程方法,其特征在于,步骤一中采用等离子体化学气相沉积沉积氮化硅层作为氧化硅掩模层。
5.根据权利要求1所述的光阻回刻制程方法,其特征在于,步骤一中采用汽相外延完成锗硅的生长。
6.根据权利要求1所述的光阻回刻制程方法,其特征在于,步骤一中浅沟槽形成步骤为采用曝光显影工艺在氮化物层上涂覆的光刻胶层定义出浅沟槽图形,将具有浅沟槽图形的光刻胶层作为掩膜依次刻蚀氮化层、隔离氧化层以及半导体衬底得到浅沟槽,然后对浅沟槽进行氧化物填充后,进行氮化物层和隔离氧化物层的抛光处理,在半导体衬底中得到浅沟槽。
7.根据权利要求6所述的光阻回刻制程方法,其特征在于,所述锗硅生长在多晶硅栅极源漏区域的凹槽内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造