[发明专利]一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：薄膜晶体管，电容，所述电容用于补偿电路；所述电容包括：在衬底基板上设置的第一电极层，第一绝缘层，第二电极层；所述第一电极层的正投影区域为第一区域，所述第二电极层正投影区域为第二区域；所述第一电极层，所述绝缘层与所述第二电极层的正投影区域的重合区域形成电容；

所述第二区域的宽度为第一宽度，除所述第二区域的所述第一区域的宽度为第二宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度，以减少所述第二电极层与信号线层的交叠区域的面积，避免异物导致的所述第二电极层与所述信号线层之间的短路。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电极层或所述第一电极层与所述信号线层的扫描信号线欧姆连接；所述扫描信号线用于连接所述电容与所述阵列基板中的薄膜晶体管的源极或漏极。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极层、所述第二电极层与所述信号线层包括过孔，所述过孔用于将所述信号线层与所述电容电连接。

4.根据权利要求2或3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极层，所述第二电极层和所述信号线层通过图形化工艺形成。

5.根据权利要求2或3所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底基板上依次设置有缓冲层，有源层，第二绝缘层，所述第一电极层，所述第一绝缘层，所述第二电极层，钝化层，所述信号线层；所述钝化层用于隔离所述第二电极层和所述信号线层。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，

所述衬底基板的材料包括下列之一或其组合：玻璃、聚酰亚胺；

所述有源层的材料包括下列之一或其组合：多晶硅、氧化物半导体材料；

所述第一电极层、所述第二电极层和所述信号线层的材料包括下列之一或其组合：钼、铝、银、钛、铝钕合金、钨钼合金；

所述第一绝缘层、所述第二绝缘层、所述缓冲层或所述钝化层的材料包括下列之一或其组合：氧化硅、氮化硅。

7.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1~3，6任一项所述的阵列基板。

8.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

设置衬底；

在所述衬底上依次设置有有源层、第二绝缘层，第一电极层，第一绝缘层，第二电极层和信号线层；所述第一电极层与所述第二电极层的正投影区域的重合区域形成电容；

在除第二区域的第一区域内，设置所述第一电极层和所述信号线层的交叠面积，小于所述第二区域内所述第二电极层和所述信号线层叠面积；所述第一电极层的正投影区域为第一区域，所述第二电极层正投影区域为第二区域。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在设置所述有源层之前，该方法还包括在衬底基板上设置缓冲层，所述缓冲层至少设置在所述衬底基板与所述有源层之间。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述缓冲层之上，设置所述有源层，所述第二绝缘层，栅极层和所述第一电极层，所述第一绝缘层，所述第二电极层，钝化层和信号线层；具体包括：在所述缓冲层之上沉积有源层，所述有源层之上沉积第二绝缘层，第一金属层，图形化所述第一金属层形成所述第一电极层，在所述第一电极层上沉积所述第一绝缘层；所述第一绝缘层之上沉积第二金属层，图形化所述第二金属层形成所述第二电极层；

在所述第二电极层上沉积所述钝化层；所述钝化层上沉积第三金属层，图形化所述第三金属层，形成所述信号线层。