[发明专利]支撑单元和包括该支撑单元的基板处理设备

权利要求书

1.一种用于处理基板的设备，所述设备包括：

腔室，所述腔室具有用于处理所述基板的处理空间；

支撑单元，所述支撑单元在所述处理空间内支撑所述基板；

气体供应单元，所述气体供应单元将工艺气体供应到所述处理空间中；和

等离子体源，所述等离子体源基于所述处理空间内的所述工艺气体产生等离子体，

其中所述支撑单元包括：

支撑板，所述基板放置在所述支撑板上；

聚焦环，所述聚焦环布置成围绕由所述支撑板所支撑的所述基板；和

温度控制单元，所述温度控制单元调节所述聚焦环的温度，并且

其中所述温度控制单元包括：

第一加热器，所述第一加热器布置成在所述聚焦环下方加热所述聚焦环并布置成与所述聚焦环相对；

冷却构件，所述冷却构件设置在所述第一加热器下方；和

第二加热器，所述第二加热器在所述第一加热器和所述冷却构件之间安装在与所述第一加热器相对的位置处。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述支撑单元还包括主体，所述主体设置成环形并位于所述聚焦环下方，以及

其中所述冷却构件设置在所述主体内部。

3.根据权利要求2所述的设备，其中所述第一加热器和所述第二加热器设置在所述主体中。

4.根据权利要求2所述的设备，其中所述支撑单元还包括传热片，所述传热片介于所述聚焦环和所述主体之间，以及

其中所述传热片具有比所述主体的传热速率更高的传热速率。

5.根据权利要求4所述的设备，其中所述支撑单元还包括传热片防护件，所述传热片防护件围绕所述传热片的内表面和所述传热片的外表面。

6.根据权利要求5所述的设备，其中所述传热片防护件被设置为被所述主体附带。

7.根据权利要求4所述的设备，其中所述聚焦环具有底表面，所述底表面呈阶梯式以在所述底表面的内部区域和外部区域之间形成高度差，

其中所述主体的顶表面呈阶梯式以与所述聚焦环的所述底表面接合，并且，

其中所述传热片包括：

与所述内部区域对应的内部片；和

与所述外部区域对应的外部片。

8.根据权利要求7所述的设备，其中所述传热片防护件包括：

内部防护件，所述内部防护件围绕所述内部片的内表面和外表面；和

外部防护件，所述外部防护件围绕所述外部片的内表面和外表面。

9.根据权利要求1所述的设备，其中所述温度控制单元包括：

温度测量构件，所述温度测量构件测量所述聚焦环的温度；和

控制器，所述控制器根据由所述温度测量构件所测量的所述温度来控制所述第一加热器、所述第二加热器和所述冷却构件。

10.根据权利要求9所述的设备，其中，当通过所述温度测量构件测量的所述聚焦环的温度低于特定温度范围时，所述控制器升高所述第一加热器的温度，升高所述冷却构件的温度，并且升高所述第二加热器的温度；并且

其中，当通过所述温度测量构件测量的所述聚焦环的温度高于特定温度范围时，所述控制器降低所述第一加热器的温度，降低所述冷却构件的温度，并且降低所述第二加热器的温度。

11.根据权利要求2所述的设备，其中所述聚焦环包括硅Si、碳化硅SiC、石英、氧化钇Y₂O₃和氧化铝Al₂O₃中的至少一种材料，并且

其中所述主体包括石英、氧化钇Y₂O₃和氧化铝Al₂O₃中的至少一种材料。