[发明专利]一种72对棒多晶硅还原炉在审
| 申请号： | 201810456111.1 | 申请日： | 2018-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN108545745A | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 茅陆荣;陈龙;彭建涛 | 申请（专利权）人： | 上海森松新能源设备有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人： | 陈开山 |
| 地址： | 201323 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 底盘 还原炉 冷流 多晶硅还原炉 氢气喷嘴 热气流 黑度 节能运行 流化状态 氢气气流 热量损失 多晶硅 热反射 生长区 银涂层 电极 硅粉 晶硅 炉体 喷射 | ||
1.一种72对棒多晶硅还原炉，包括有炉体、底盘和电极，炉体安装于底盘上，电极位于炉体中并安装于底盘上，底盘上设置有进气口和出气口，硅芯生长于电极上，其特征在于：通过对炉体高度参数及炉体内部温度参数的控制，将该还原炉的内部分成热流层、晶硅生长区及冷流层三个区域；所述热流层位于炉体顶部，冷流层位于炉体底部，晶硅生长区位于热流层和冷流层之间；所述炉体内部还设置有硅芯安装支架。
2.根据权利要求1所述的一种72对棒多晶硅还原炉，其特征在于，所述硅芯安装支架位于底盘上，包括：第一安装平台和第二安装平台，所述第一安装平台与所述第二安装平台通过车架连接；所述第一安装平台与所述第二安装平台均被配置为相对于所述车架上下滑动。
3.根据权利要求1所述的一种72对棒多晶硅还原炉，其特征在于，所述底盘上设38个进气口，按圆形分布，共计5个分布圆，底盘上设6个出气口，其中最外圈5个均布，中心1个，底盘出气孔上设防护罩。
4.根据权利要求1所述的一种72对棒多晶硅还原炉，其特征在于，所述进气口和出气口材料采用耐蚀合金。
5.根据权利要求1所述的一种72对棒多晶硅还原炉，其特征在于，所述晶硅生长区的气相温度控制为700-850℃。
6.根据权利要求1所述的一种72对棒多晶硅还原炉，其特征在于，所述冷流层由自底盘朝上喷出的氢气气流形成，气相温度控制在150-650℃。
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