[发明专利]一种功率器件的封装方法及功率器件有效
申请号: | 201810457208.4 | 申请日: | 2018-05-14 |
公开(公告)号: | CN108511350B | 公开(公告)日: | 2020-09-01 |
发明(设计)人: | 叶彩凤;于世香 | 申请(专利权)人: | 南京溧水高新创业投资管理有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/522 |
代理公司: | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 44525 | 代理人: | 李明香 |
地址: | 210000 江苏省南京*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功率 器件 封装 方法 | ||
1.一种功率器件的封装方法,其特征在于,包括:
在功率器件的芯片钝化层上形成打线窗口;
在打线窗口内制备金属粘附层;
在金属粘附层之上,形成防水保护层及铝线接触窗口;
淀积金属铝,将铝线接触窗口填满;
在钝化层表面形成接线盘;
在接线盘上进行打线封装;
所述防水层将两个打线窗口全部覆盖;所述防水保护层进行回刻,将表面的氮氧化硅去除,所述铝线接触窗口宽度与打线的线径相同。
2.根据权利要求1所述的功率器件的封装方法,其特征在于:所述在打线窗口内制备金属粘附层具体为通过金属淀积,之后刻蚀的方法形成金属粘附层,或通过剥离工艺形成金属粘附层。
3.一种功率器件,其特征在于,所述功率器件包括:功率芯片、位于功率芯片上表面的金属层、位于金属层上表面的芯片钝化层,三者通过粘接连接,所述芯片钝化层开设打线窗口,该打线窗口内淀积金属粘附层,该金属粘附层上形成防水保护层,该防水保护层上开设铝线接触窗口,该铝线接触窗口淀积金属铝形成接线盘;所述防水保护层为氮氧化硅防水层,所述铝线接触窗口宽度与打线的线径相同。
4.根据权利要求3所述的功率器件,其特征在于:所述打线窗口包括栅极打线窗口和源极打线窗口。
5.根据权利要求3所述的功率器件,其特征在于:所述金属粘附层为钛/氮化钛金属粘附层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造