[发明专利]一种温度补偿压控振荡器及补偿方法在审
申请号: | 201810457272.2 | 申请日: | 2018-05-14 |
公开(公告)号: | CN108649902A | 公开(公告)日: | 2018-10-12 |
发明(设计)人: | 周自波 | 申请(专利权)人: | 成都聚利中宇科技有限公司 |
主分类号: | H03B5/04 | 分类号: | H03B5/04;H03B5/12 |
代理公司: | 成都市集智汇华知识产权代理事务所(普通合伙) 51237 | 代理人: | 李华;温黎娟 |
地址: | 610213 四川省成都市双流*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微处理器 数字校准 数字温度传感器 频率数字 校准单元 温度补偿压控 传送 接收片 振荡器 闭环稳定性 压控振荡器 幅度补偿 幅度校准 频率补偿 实时检测 温度信号 检测 | ||
1.一种温度补偿压控振荡器,包括LC压控振荡器,其特征在于,还包括数字温度传感器、片外微处理器、频率数字校准单元和幅度数字校准单元;
数字温度传感器:用于实时检测所述LC压控振荡器工作环境温度并将检测到的温度信号传送给片外微处理器;
片外微处理器:用于接收数字温度传感器传送的温度信号并处理,然后将处理后的信号传送给频率数字校准单元和幅度数字校准单元;
频率数字校准单元:用于接收片外微处理器传送的信号并根据信号对所述LC压控振荡器作出频率补偿动作;
幅度数字校准单元:用于接收片外微处理器传送的信号并根据信号对所述LC压控振荡器作出幅度补偿动作。
2.根据权利要求1所述的一种温度补偿压控振荡器,其特征在于,所述LC压控振荡器的电路结构包括:
负阻管:所述负阻管包括第一MOS管(M1)和第二MOS管(M2),所述第一MOS管(M1)的栅极与所述第二MOS管(M2)的漏极连接,所述第二MOS管(M2)的栅极与所述第一MOS管(M1)的漏极连接,所述第一MOS管(M1)的源极与所述第二MOS管(M2)的源极短接;
LC谐振腔:所述谐振腔包括并联的可变电容器和电感器(L),所述可变电容器包括两个串联的第一电容(C1),所述电感器(L)的两端分别与所述第一MOS管(M1)的漏极和所述第二MOS管(M2)的漏极连接,所述电感器(L)设置有抽头,所述抽头作为所述温度补偿压控振荡器的电压输入端,所述电感器(L)的两端作为所述温度补偿压控振荡器的信号幅度输出端,所述可变电容器中两个第一电容(C1)的公共端作为所述温度补偿压控振荡器的信号频率输出端;
基准电流源:所述基准电流源包括第三MOS管(M3)和第四MOS管(M4),所述第三MOS管(M3)的源极与第四MOS管(M4)的源极连接后接地,所述第三MOS管(M3)的栅极通过第二开关与第四MOS管(M4)的栅极连接,所述第三MOS管(M3)的漏极与所述第一MOS管(M1)的源极连接,所述第四MOS管(M4)的源极作为所述基准电流源的电流输入端。
3.根据权利要求2所述的一种温度补偿压控振荡器,其特征在于,所述频率数字校准单元包括m条并联的频率数字校准电路,所述每条频率数字校准电路包括一个或多个串联的电容,所述每条频率数字校准电路中还串联有一个第一开关,所述每条频率数字校准电路的两端与所述电感器(L)的两端连接,其中,所述每条频率数字校准电路的第二开关根据从片外微处理器接收到的信号闭合或断开。
4.根据权利要求3所述的一种温度补偿压控振荡器,其特征在于,所述频率数字校准单元包括三条并联的频率数字校准电路。
5.根据权利要求2所述的一种温度补偿压控振荡器,其特征在于,所述幅度数字校准单元包括n条并联的幅度数字校准电路,所述每条幅度数字校准电路包括一个MOS管和一个第二开关,所述每条幅度数字校准电路的MOS管的漏极和源极分别与所述第三MOS管(M3)的漏极和源极连接,所述每条幅度数字校准电路的MOS管的栅极通过第二开关与所述第四MOS管(M4)的栅极连接,其中,所述每条幅度数字校准电路的第二开关根据从片外微处理器接收到的信号闭合或断开。
6.根据权利要求5所述一种温度补偿压控振荡器,其特征在于,所述幅度数字校准单元包括三条并联的幅度数字校准电路。
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