[发明专利]具有黑色边界区域的光刻掩模及其制造方法

权利要求书

1.一种光刻掩模，包括：

衬底；

反射结构，设置在所述衬底的第一侧上方，所述反射结构包括Mo/Si膜对或者Mo/Be膜对；

图案化的吸收层，设置在所述反射结构上方；

其中，所述光刻掩模包括第一区域和在俯视图中围绕所述第一区域的第二区域；

所述图案化的吸收层位于所述第一区域中；以及

非反射材料位于所述第二区域中，所述非反射材料包括延伸穿过所述反射结构的沟槽，

钝化层，设置在所述沟槽的侧壁上，

其中，所述反射结构包括Mo/Si膜对时，所述钝化层包括SiO₂、MoO₃或它们的混合物，或者所述钝化层包括SiN、MoN或它们的混合物，

其中，所述反射结构包括Mo/Be膜对时，所述钝化层包括氧化钼和氧化铍、或者所述钝化层包括氮化钼和氮化铍。

2.根据权利要求1所述的光刻掩模，其中：

所述反射结构被配置为反射极紫外(EUV)光；以及

所述非反射材料被配置为相对于所述极紫外光非反射。

3.根据权利要求1所述的光刻掩模，其中，所述非反射材料相当于不存在所述反射结构。

4.根据权利要求1所述的光刻掩模，其中，所述钝化层包括SiO₂、MoO₃或它们的混合物。

5.根据权利要求1所述的光刻掩模，还包括，所述钝化层包括SiN、MoN或它们的混合物。

6.根据权利要求1所述的光刻掩模，其中：所述钝化层具有在从1nm至15nm的范围内的厚度。

7.根据权利要求1所述的光刻掩模，其中：

所述光刻掩模还包括围绕所述第二区域的第三区域；以及

所述第一区域和所述第三区域通过位于所述第二区域中的一个或多个桥电互连。

8.一种制造光刻掩模的方法，包括：

在衬底的上方形成反射结构，所述反射结构包括Mo/Si膜对或Mo/Be膜对；

在所述反射结构上方形成吸收层；

限定所述光刻掩模的第一区域，其中，所述第一区域的限定包括图案化所述吸收层；以及

限定所述光刻掩模的第二区域，其中，所述第二区域限定为在俯视图中围绕所述第一区域，并且其中，所述第二区域的限定包括在所述第二区域中形成非反射材料，其中，所述第二区域的限定包括在所述第二区域中蚀刻沟槽，其中，所述沟槽垂直地延伸穿过所述反射结构，

在所述沟槽的侧壁上形成钝化层，其中，所述反射结构包括Mo/Si膜对时，所述钝化层包括SiO₂、MoO₃或它们的混合物，或者所述钝化层包括SiN、MoN或它们的混合物，

其中，所述反射结构包括Mo/Be膜对时，所述钝化层包括氧化钼和氧化铍、或者所述钝化层包括氮化钼和氮化铍。

9.根据权利要求8所述的方法，其中：

所述反射结构的形成包括形成反射极紫外(EUV)光的结构；以及

所述非反射材料的形成包括形成相对于所述极紫外光非反射的材料。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述钝化层的厚度在从1纳米至15nm的范围内。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述反射结构包括Mo/Si膜对，并且所述钝化层包括SiO₂、MoO₃或它们的混合物。

12.根据权利要求8所述的方法，其中，所述光刻掩模包括在所述俯视图中围绕所述第二区域的第三区域，并且其中，所述方法还包括：在所述第二区域中形成一个或多个桥，其中，所述一个或多个桥将所述第一区域与所述第三区域互连。