[发明专利]一种GaN异质结电导调制场效应管在审
| 申请号： | 201810457502.5 | 申请日： | 2018-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN108649070A | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 周琦;魏东;邓操;董长旭;黄芃;陈万军;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 漂移区 轻掺杂 电导调制 场效应管 反向耐压 异质结 反偏 栅端 载流子 功率半导体技术 器件击穿电压 空穴 低导通电阻 导通电流 电场分布 电荷平衡 浓度增加 泄漏电流 正向导通 正向特性 电场 耗尽区 新结构 正电压 电阻 浮空 减小 漏极 源极 体内 | ||
【权利要求书】：
1.一种GaN异质结电导调制场效应管，从下至上依次包括层叠设置的P型欧姆漏电极(10)、P型重掺杂GaN层(1)、N型漂移区(2)、AlMN层(4)和GaN-top层(5)；所述N型漂移区(2)和AlMN层(4)构成第一异质结，第一异质结界面形成二维电子气沟道；所述GaN-top层(5)和AlMN层(4)构成第二异质结，第二异质结界面形成二维空穴气沟道；其特征在于，还包括凹槽，所述凹槽位于器件沿横向方向的端面，并沿垂直方向依次贯穿GaN-top层(5)和AlMN层(4)后延伸入N型漂移区(2)上层，在凹槽的内壁具有栅氧化层(7)，在栅氧化层(7)上淀积有肖特基栅电极(8)；所述N型漂移区(2)中具有浮空P-GaN区域(3)，浮空P-GaN区域(3)位于凹槽下方；所述GaN-top层(5)上表面具有欧姆金属源极(9)，欧姆金属源极(9)与凹槽相邻。
2.根据权利要求1所述的一种GaN异质结电导调制场效应管，其特征在于，所述浮空P-GaN区域(3)的长度Lp＝3μm。
3.根据权利要求2所述的一种GaN异质结电导调制场效应管，其特征在于，所述浮空P-GaN区域(3)的掺杂浓度为1x1017cm-3。
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