[发明专利]形成集成电路的方法

权利要求书

1.一种形成集成电路的方法，包括：

接收工件，所述工件包括具有沟道区域的衬底；

在所述沟道区域上形成的栅极电介质；

在所述栅极电介质上形成第一层，所述第一层含有氟化钨；

将所述工件退火以将氟从所述第一层转移到所述栅极电介质；以及

在所述退火后去除所述第一层。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在去除所述第一层之后：

在所述栅极电介质上形成功函数层；以及

在所述功函数层上形成填充材料。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述栅极电介质上形成第一覆盖层，使得所述含有掺杂剂的层形成在所述第一覆盖层上，并且所述工件的退火使所述掺杂剂转移通过所述第一覆盖层。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括在所述第一覆盖层上形成第二覆盖层，使得所述第一层形成在所述第二覆盖层上，并且所述工件的退火进一步使所述氟转移通过所述第二覆盖层。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括在将所述工件退火之前，在所述第一层上形成阻挡层。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述沟道区域上形成伪栅极结构；

在所述伪栅极结构的侧面上形成栅极间隔件；以及

去除所述伪栅极结构，使得在所述栅极间隔件之间限定沟槽，其中，所述栅极电介质的形成使所述栅极电介质形成在所述沟槽内。

7.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述工件包括设置在所述衬底上的层间电介质；以及

在所述退火期间，所述栅极电介质直接设置在所述层间电介质的顶面上。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，具有氟的所述栅极电介质具有至少4原子百分比的氟浓度。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述工件的退火包括在550℃至600℃之间的温度下执行快速热退火。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，执行所述快速热退火10秒至50秒。

11.一种形成集成电路的方法，包括：

接收衬底，所述衬底具有：

一对源极/漏极部件；

在所述一对源极/漏极部件之间的沟道区域；以及

在所述沟道区域上的伪栅极结构；

去除所述伪栅极结构以在所述沟道区域上方限定沟槽；

在所述沟道区域上的所述沟槽内形成高k栅极电介质；

在所述高k栅极电介质上形成含有氟化钨的层；

执行热处理以将氟从所述层转移到所述高k栅极电介质；以及

在执行所述热处理之后去除所述层。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括在去除所述层之后，形成包括所述高k栅极电介质的栅极结构。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，使用原子层沉积工艺，在300℃至350℃之间的沉积温度下，在5托至10托之间的压力下，执行形成所述含氟的层。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，所述含有氟化钨的层的厚度形成在10至20埃之间。

15.根据权利要求11所述的方法，还包括在所述热处理之前，在所述含有氟化钨的层上形成阻挡层。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述阻挡层包括选自由TiN、SiN和AlN组成的组的材料。