[发明专利]阵列基板制造方法及阵列基板

权利要求书

1.一种阵列基板制造方法，包括以下步骤：

在基板(100)上形成第一金属层(110)，在该基板(100)上形成栅极绝缘层(120)，并覆盖该第一金属层(110)，在该栅极绝缘层(120)上形成半导体层(130)，在该栅极绝缘层(120)上形成第二金属层(140)，该第二金属层(140)包括源极(142)、漏极(144)以及数据线，源极(142)和漏极(144)彼此分隔并分别与该半导体层(130)直接接触而覆盖部分的半导体层(130)；依次形成第一绝缘层(150)、保护层(160)、第二绝缘层(170)和第一导电层(180)；该第一绝缘层(150)覆盖该栅极绝缘层(120)，并覆盖该第二金属层(140)以及覆盖从该源极(142)和该漏极(144)之间暴露出来的半导体层(130)，该保护层(160)覆盖该第一绝缘层(150)上，该第二绝缘层(170)覆盖于该保护层(160)，该第一导电层(180)形成于该第二绝缘层(170)上；其特征在于，

在该第一导电层(180)上形成第三绝缘层(190)，使该第三绝缘层(190)覆盖该第一导电层(180)，并在该第三绝缘层(190)上形成第二导电层(200)，该第二导电层(200)穿过该第三绝缘层(190)、该第一导电层(180)、该第二绝缘层(170)、该保护层(160)和该第一绝缘层(150)与该第二金属层(140)的漏极(144)导电连接；

其中，在所述阵列基板制造方法中，在形成该保护层(160)、该第二绝缘层(170)和该第一导电层(180)时，分别在该保护层(160)、该第二绝缘层(170)和该第一导电层(180)上形成位置对应的过孔，先后对该保护层(160)和该第一导电层(180)退火；或者，在形成该保护层(160)、该第二绝缘层(170)和该第一导电层(180)时，在该保护层(160)上方形成辅助导电部，且在该保护层(160)上形成过孔，并对该第一导电层(180)退火，该辅助导电部覆盖该保护层(160)上方的一部分，并穿过该保护层(160)的过孔与该第一绝缘层(150)接触，该辅助导电部位于阵列基板的同一行的相邻像素单元之间的对应位置。

2.如权利要求1所述的阵列基板制造方法，其特征在于，依次形成该第一绝缘层(150)、该保护层(160)、该第二绝缘层(170)和该第一导电层(180)，该第一绝缘层(150)覆盖该栅极绝缘层(120)，并覆盖该第二金属层(140)以及覆盖从该源极(142)和该漏极(144)之间暴露出来的该半导体层(130)，该第二绝缘层(170)覆盖于该保护层(160)，该第一导电层(180)形成于该第二绝缘层(170)上；其中，分别在该保护层(160)、该第二绝缘层(170)和该第一导电层(180)上形成位置对应的过孔，先后对该保护层(160)和该第一导电层(180)退火的步骤具体为：

在该栅极绝缘层(120)上形成该第一绝缘层(150)，覆盖该栅极绝缘层(120)，并覆盖该第二金属层(140)以及覆盖从该源极(142)和该漏极(144)之间暴露出来的该半导体层(130)；

在该第一绝缘层(150)上形成该保护层(160)，对该保护层(160)和该第一绝缘层(150)曝光显影，并对该保护层(160)进行退火；

在该保护层(160)上形成该第二绝缘层(170)，对该第二绝缘层(170)进行曝光蚀刻，并形成第三过孔(172)；

在该第二绝缘层(170)上形成该第一导电层(180)，并对该第一导电层(180)曝光显影，且对该第一导电层(180)进行蚀刻，然后对该第一导电层(180)退火。