[发明专利]一种在区块链算力设备中实现密码保护自锁的方法

说明书

本发明公开了一种在区块链算力设备中实现密码保护自锁的方法，其特征在于，用电可擦除存储器结构附加控制逻辑实现区块链算力设备密码保护自锁的功能，控制逻辑检测到连续密码校验错误后，就把密码错误计数器值减为0，并且禁止密码错误计数器被改写。技术效果为，提供一种用电可擦除存储器结构实现区块链算力设备密码保护自锁的方法，控制逻辑检测到连续密码校验错误后，就禁止对算力设备校验密码及读写等所有操作，实现区块链算力设备密码的自锁保护。

技术领域

本发明属于区块链算力设备信息加密技术，尤其涉及一种用电可擦除存储器结构附加控制逻辑实现算力设备保护自锁的方法。

背景技术

众所周知，目前在区块链算力设备中，需要保护算力设备内的密码，如果密码被破解算力设备就被破解了，而穷举法蛮力攻击破解法，可以多次尝试发出校验密码指令，通过足够多次的不同密码尝试，试出算力设备的密码。因此算力设备内需要一种高效的保护方法，来有效防止穷举法蛮力攻击破解。

发明内容

本发明需要解决的技术问题之一在于提供一种用电可擦除存储器结构实现区块链算力设备密码保护自锁的方法。

针对上述的技术方案为：

用电可擦除存储器结构附加控制逻辑实现区块链算力设备密码保护自锁的功能，控制逻辑检测到密码校验错误后，就把密码错误计数器减1，每次校验密码时，控制逻辑控制密码错误计数器的每个比特位从“1”被写为“0”，但禁止从“0”被写为“1”。当密码错误计数器的值减为0时，控制逻辑禁止对算力设备校验密码及读写等所有操作，实现算力设备的自锁保护，使得无法再进行尝试校验密码。

本发明的技术效果为，提供一种用电可擦除存储器结构实现区块链算力设备密码保护自锁的方法，控制逻辑检测到连续密码校验错误后，就把错误计数器清0，禁止对算力设备继续校验密码及读写等所有操作，实现算力设备的自锁保护。

附图说明

图1为电可擦除存储器(EEPROM)示意图；

图2为本发明的实施例所描述的示意图；

图3为本发明的区块链算力设备密码自锁保护结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本发明作详细说明。

如图1，描绘出了电可擦除存储器(EEPROM)示意图。EEPROM写控制信号高电平有效，即只有当写控制信号为高电平“1”时，才可以向EEPROM中写入数据，当写控制信号为低电平“0”时，禁止向EEPROM中写入数据。

图2为本发明的实施例所描述的示意图。用电可擦除存储器(EEPROM)结构附加控制逻辑实现密码错误计数器的功能。密码错误计数器中一个单元的数据可输出并暂存在寄存器中，寄存器的输出端连接到与非门的输入端。如果密码错误计数器中数据为“0”，则寄存器中的数据也为“0”，导致与门的一个输入为“0”，不论密码错误计数器的写控制信号是哪种电平状态，与非门的输出均为低电平“0”，从而禁止向密码错误计数器中写入数据。如果密码错误计数器单元中数据为“1”，则寄存器中的数据也为“1”，导致与门的一个输入为“1”，如密码错误计数器的写控制信号是有效高电平“1”，则与门的输出为高电平“1”，从而允许向密码错误计数器中写入数据。每次校验密码时，控制逻辑控制密码错误计数器的每个比特位从“1”被写为“0”，但禁止从“0”被写为“1”。使得密码错误计数器在检测到连续密码校验错误被清0后，禁止被改写，从而实现了自锁保护的功能。

如图3为实施本发明的区块链算力设备密码自锁结构示意图，当电源及上电复位电路上电工作后，控制电路控制接口电路将保护存储器电路外部命令及数据导入，控制电路处理外部命令并控制对密码错误计数器的操作，以及控制接口电路将保护存储器电路内部应答数据导出。控制电路对密码错误计数器的读写进行控制，即控制实现算力设备密码自锁保护功能。

本发明可以在不背离本发明的精神或基本特征以其它具体形式实施，因此目前公开的实施例在所有的方面都被认为是说明性的而不是限制性的，本发明的范围由权利要求指出，所以其中也包括了在权利要求中的等同物的意思和范围中出现的所有变化。