[发明专利]斜面刻蚀装置及晶圆刻蚀方法

权利要求书

1.一种斜面刻蚀装置，用于刻蚀晶圆的边缘区域，其特征在于，包括：

第一电极组件；

第二电极组件，与所述第一电极组件相对设置，所述第二电极组件朝向所述第一电极组件的表面用于承载晶圆；

旋转组件，连接所述第二电极组件，用于控制所述第二电极组件中用于承载所述晶圆的表面自转。

2.根据权利要求1所述的斜面刻蚀装置，其特征在于，所述旋转组件包括控制器和旋转轴；所述旋转轴，与所述第二电极组件背离所述第一电极组件的表面连接；所述控制器，连接所述旋转轴，用于驱动所述旋转轴带动所述第二电极组件中用于承载所述晶圆的表面自转。

3.根据权利要求2所述的斜面刻蚀装置，其特征在于，所述旋转组件还包括驱动器；所述驱动器，同时连接所述控制器、所述旋转轴，用于根据所述控制器的控制指令调整所述旋转轴的转动状态。

4.根据权利要求3所述的斜面刻蚀装置，其特征在于，所述转动状态包括转动角速度和转动方向。

5.根据权利要求2所述的斜面刻蚀装置，其特征在于，所述第一电极组件包括上电极，所述第二电极组件包括下电极，所述晶圆位于所述上电极与所述下电极之间的空隙内；所述下电极，用于与射频电源连接，所述旋转轴与所述下电极背离所述上电极的表面连接。

6.根据权利要求5所述的斜面刻蚀装置，其特征在于，所述第二电极组件还包括静电吸附盘；所述静电吸附盘，置于所述下电极朝向所述第一电极组件的表面，用于固定所述晶圆。

7.根据权利要求6所述的斜面刻蚀装置，其特征在于，所述第一电极组件还包括绝缘层；所述绝缘层，置于所述上电极朝向所述下电极的表面，用于遮盖所述晶圆的内部区域，所述边缘区域环绕所述内部区域设置。

8.根据权利要求7所述的斜面刻蚀装置，其特征在于，还包括第一限位环和第二限位环；所述第一限位环环绕所述绝缘层的外周设置，所述第二限位环环绕所述静电吸附盘的外周设置。

9.一种晶圆刻蚀方法，其特征在于，包括：

提供一斜面刻蚀装置，所述斜面刻蚀装置包括第一电极组件、以及与所述第一电极组件相对设置的第二电极组件；

将晶圆置于所述第二电极组件朝向所述第一电极组件的表面；

刻蚀过程中，控制所述第二电极组件中承载所述晶圆的表面自转。

10.根据权利要求9所述的晶圆刻蚀方法，其特征在于，所述斜面刻蚀装置还包括与所述第二电极组件连接的旋转组件；刻蚀过程中，通过所述旋转组件控制所述第二电极组件中承载所述晶圆的表面自转。

11.根据权利要求10所述的晶圆刻蚀方法，其特征在于，所述旋转组件包括控制器和旋转轴；所述旋转轴，与所述第二电极组件背离所述第一电极组件的表面连接；刻蚀过程中，通过所述控制器控制所述旋转轴带动所述第二电极组件中承载所述晶圆的表面自转。

12.根据权利要求11所述的晶圆刻蚀方法，其特征在于，所述旋转组件还包括驱动器；刻蚀过程中，所述驱动器根据所述控制器的控制指令调整所述旋转轴的转动状态。

13.根据权利要求12所述的晶圆刻蚀方法，其特征在于，所述转动状态包括转动角速度和转动方向。

14.根据权利要求10所述的晶圆刻蚀方法，其特征在于，所述第一电极组件包括上电极，所述第二电极组件包括下电极，所述晶圆位于所述上电极与所述下电极之间的空隙内；所述下电极，用于与射频电源连接，所述旋转轴与所述下电极背离所述上电极的表面连接。