[发明专利]InGaN/GaN异质外延结构及其生长方法在审
| 申请号： | 201810460567.5 | 申请日： | 2018-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN108598192A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 刘炜;赵德刚;陈平;刘宗顺;朱建军;江德生;杨静 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0304 | 分类号： | H01L31/0304;H01L31/0352;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤宝平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 生长 衬底 异质外延 源区 能量转换效率 太阳能电池 外延结构 蓝宝石 氮化镓 砷化镓 碳化硅 | ||
1.一种InGaN/GaN异质外延结构，包括：
一衬底，该衬底的材料为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓或砷化镓；
一GaN层，其生长在衬底上；
一InGaN有源区，其生长在GaN层上；
一GaN层，其生长在InGaN有源区上。
2.根据权利要求1所述的InGaN/GaN异质外延结构，其中GaN层为故意掺杂的P型层。
3.根据权利要求1所述的InGaN/GaN异质外延结构，其中InGaN有源区为非故意掺杂区。
4.根据权利要求1所述的InGaN/GaN异质外延结构，其中GaN层为故意掺杂的N型层。
5.根据权利要求1所述的InGaN/GaN异质外延结构，其中InGaN有源区为In含量大于1％的InGaN/GaN多量子阱或InGaN单层材料。
6.一种InGaN/GaN异质外延结构的生长方法，包括以下步骤：
步骤1：取一衬底，该衬底的材料为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓或砷化镓；
步骤2：在该衬底上依次生长GaN层、InGaN有源区、GaN层，完成生长。
7.根据权利要求6所述的InGaN/GaN异质外延结构的生长方法，其中GaN层为故意掺杂的P型层。
8.根据权利要求6所述的InGaN/GaN异质外延结构的生长方法，其中InGaN有源区为非故意掺杂区。
9.根据权利要求6所述的InGaN/GaN异质外延结构的生长方法，其中GaN层为故意掺杂的N型层。
10.根据权利要求6所述的InGaN/GaN异质外延结构的生长方法，其中InGaN有源区为In含量大于1％的InGaN/GaN多量子阱或InGaN单层材料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
