[发明专利]一种高强度导电Cu-Ti-Ni-Si合金及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201810460613.1 申请日: 2018-05-15
公开(公告)号: CN108559859B 公开(公告)日: 2020-06-26
发明(设计)人: 王献辉;刘佳;刘彦峰;罗赛燕 申请(专利权)人: 西安理工大学
主分类号: C22C1/02 分类号: C22C1/02;C22C9/00;C22C9/06;C22F1/02;C22F1/08
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 谈耀文
地址: 710048*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 强度 导电 cu ti ni si 合金 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种高强度导电Cu-Ti-Ni-Si合金的制备方法,其特征在于,具体操作步骤如下:

步骤1,按质量百分比称取以下材料:铜块91.5-95.3%、硅块0.2-1.2%、海绵钛2.0-3.5%和镍块2.5-3.8%,以上各组分质量百分比之和为100%;

步骤2,将所述铜块、海绵钛、镍块和硅块放入镁砂坩埚中,随后将放有原材料的镁砂坩埚置入真空感应熔炼炉中进行熔炼,熔炼完成后放入水冷铜坩埚中浇注,得到合金铸锭;

步骤3,将所述合金铸锭表面进行清理,放入气氛保护炉中,升温至750-820℃后保温1.5-4小时,保温结束后随炉自然冷却至室温,获得均匀化合金铸锭;

步骤4,将所述均匀化合金铸锭放入开启式真空-气氛管式炉中,通入保护气体,进行固溶处理,固溶处理温度为780-880℃,保温3-6小时,随后取出进行水淬处理,得到固溶处理后合金铸锭;

步骤5,将所述固溶处理后合金铸锭再次置入开启式真空-气氛管式炉中,通入保护气体,升温至450-520℃,保温1.5-3小时,保温结束后随炉自然冷却至室温,得到高强度导电Cu-Ti-Ni-Si合金;

所述高强度导电Cu-Ti-Ni-Si合金,按质量百分比由以下组分组成:Cu 91.5-95.3%、Si 0.2-1.2%、Ti 2.0-3.5%、Ni 2.5-3.8%,以上各组分质量百分比之和为100%。

2.根据权利要求1所述的一种高强度导电Cu-Ti-Ni-Si合金的制备方法,其特征在于,步骤2所述的熔炼真空度不小于10-3Pa。

3.根据权利要求1所述的一种高强度导电Cu-Ti-Ni-Si合金的制备方法,其特征在于,步骤4所述的水淬水温为20-30℃。

4.根据权利要求1所述的一种高强度导电Cu-Ti-Ni-Si合金的制备方法,其特征在于,步骤1所述的铜块纯度不小于99.9%。

5.根据权利要求1所述的一种高强度导电Cu-Ti-Ni-Si合金的制备方法,其特征在于,步骤1所述镍块纯度不小于99.9%。

6.根据权利要求1所述的一种高强度导电Cu-Ti-Ni-Si合金的制备方法,其特征在于,步骤1所述硅块纯度不小于99.9%。

7.根据权利要求1所述的一种高强度导电Cu-Ti-Ni-Si合金的制备方法,其特征在于,步骤1所述海绵钛纯度不小于99.9%。

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