[发明专利]散热器件和方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

管芯堆叠件，位于中介层上方并且电连接至所述中介层，所述管芯堆叠件包括最顶集成电路管芯，所述最顶集成电路管芯包括：

衬底，具有前侧和与所述前侧相对的背侧，所述衬底的前侧包括有源表面；

伪衬底通孔(TSV)，从所述衬底的背侧至少部分地延伸至所述衬底内，所述伪衬底通孔与所述有源表面电隔离；

热界面材料，位于所述最顶集成电路管芯上方；以及

伪连接件，位于所述热界面材料中，所述热界面材料围绕所述伪连接件，所述伪连接件与所述最顶集成电路管芯的有源表面电隔离，其中，所述伪连接件的与所述最顶集成电路管芯相对的表面掩埋在所述热界面材料中。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述伪连接件是设置在所述伪衬底通孔上的焊料连接件。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述伪连接件是设置在所述伪衬底通孔上的铜柱。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

位于所述最顶集成电路管芯上的粘合剂，所述伪连接件和所述热界面材料设置在所述粘合剂上。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述伪连接件是图案化的金属片。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

封装衬底，所述中介层接合至所述封装衬底；以及

散热器，粘合至所述封装衬底和所述管芯堆叠件，所述散热器覆盖并且围绕所述管芯堆叠件，所述热界面材料热连接所述散热器和所述管芯堆叠件。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述管芯堆叠件还包括：

界面管芯，接合至所述中介层，所述最顶集成电路管芯接合至所述界面管芯。

8.一种半导体器件，包括：

管芯堆叠件，位于中介层上方并且电连接至所述中介层，所述管芯堆叠件包括最顶集成电路管芯，所述最顶集成电路管芯包括：

衬底，具有前侧和与所述前侧相对的背侧，所述衬底的前侧包括有源表面；

伪衬底通孔(TSV)，从所述衬底的背侧至少部分地延伸至所述衬底内，所述伪衬底通孔与所述有源表面电隔离；

热界面材料，位于所述最顶集成电路管芯上方；以及

伪连接件，位于所述热界面材料中，所述热界面材料围绕所述伪连接件，所述伪连接件与所述最顶集成电路管芯的有源表面电隔离，

伪金属，位于所述最顶集成电路管芯上，所述伪连接件和所述热界面材料设置在所述伪金属上，所述伪金属与所述最顶集成电路管芯的有源表面电隔离；以及

共晶化合物，位于所述热界面材料上，所述伪连接件将所述共晶化合物接合至所述伪金属。

9.一种制造半导体器件的方法，包括：

将管芯堆叠件附接至中介层；

用密封剂密封所述管芯堆叠件；

平坦化所述密封剂，所述密封剂与所述管芯堆叠件的顶面齐平；

在所述管芯堆叠件的最顶集成电路管芯中形成凹槽，所述最顶集成电路管芯包括具有有源表面和背面的衬底，所述衬底具有第一高度，所述凹槽从所述衬底的背面延伸第一深度，所述第一深度小于所述第一高度；

用第一导电材料填充所述凹槽以形成伪衬底通孔(TSV)；

在所述伪衬底通孔上形成伪连接件；

将热界面材料分配在所述最顶集成电路管芯上，所述热界面材料围绕所述伪连接件，其中，所述伪连接件的与所述最顶集成电路管芯相对的表面掩埋在所述热界面材料中；以及

将散热器附接至所述最顶集成电路管芯，所述散热器覆盖并且围绕所述管芯堆叠件和所述中介层。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：

在晶圆中形成所述中介层；以及

分割所述晶圆以形成所述中介层，所述中介层具有设置在所述中介层上的所述管芯堆叠件。