[发明专利]包括虚设接触的半导体器件在审
| 申请号： | 201810461568.1 | 申请日： | 2018-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN109390318A | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 吴寅旭;金东铉;朴斗焕;朴晟根;朴哲弘;黄盛昱 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接触插塞 虚设 互连 绝缘层 半导体器件 垂直中心轴 主接触 插塞 衬底 穿过 外部 | ||
1.一种半导体器件，包括：
在衬底上的绝缘层；
穿过所述绝缘层的多个主接触插塞和多个虚设接触插塞；以及
在所述绝缘层上的多个上部互连，其中，
所述多个虚设接触插塞包括第一虚设接触插塞，
所述多个上部互连包括重叠所述第一虚设接触插塞的第一上部互连，以及
所述第一虚设接触插塞的垂直中心轴位于所述第一上部互连外部。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一虚设接触插塞和所述上部互连的重叠面积小于所述第一虚设接触插塞的上表面的面积的0.5倍。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一虚设接触插塞与所述上部互连之间的界面在比所述绝缘层的上表面更低的水平处。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个主接触插塞和所述多个虚设接触插塞的上表面在比所述绝缘层的上端更低的水平处。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一虚设接触插塞与所述第一上部互连之间的界面与所述绝缘层的上表面实质上共平面。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个上部互连的每个包括上部导电层以及构造为围绕所述上部导电层的侧表面和下部的上部阻挡层，以及
所述上部阻挡层形成在所述上部导电层与所述第一虚设接触插塞之间。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个虚设接触插塞包括第二虚设接触插塞，以及
所述第二虚设接触插塞与所述多个上部互连间隔开。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
在所述衬底与所述绝缘层之间的多个下部互连，其中，
所述多个下部互连包括重叠于所述第一虚设接触插塞之下的第一下部互连，以及
所述第一虚设接触插塞的所述垂直中心轴位于所述第一下部互连外部。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
在所述衬底与所述绝缘层之间的多个下部互连，其中，
所述多个虚设接触插塞包括第三虚设接触插塞，
所述多个下部互连包括重叠于所述第三虚设接触插塞之下的第二下部互连，以及
所述第三虚设接触插塞的垂直中心轴位于所述第二下部互连外部。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
在所述衬底与所述绝缘层之间的下部虚设互连，其中，
所述多个虚设接触插塞包括第四虚设接触插塞，
所述多个上部互连包括上部虚设互连，以及
所述第四虚设接触插塞的垂直中心轴重叠所述下部虚设互连和所述上部虚设互连。
11.一种半导体器件，包括：
在衬底上的第一绝缘层；
在所述第一绝缘层内部的多个下部互连；
在所述第一绝缘层和所述多个下部互连上的蚀刻停止层；
在所述蚀刻停止层上的第二绝缘层；
穿过所述第二绝缘层和所述蚀刻停止层的多个主接触插塞和多个虚设接触插塞；以及
在所述第二绝缘层上的多个上部互连，其中，
所述多个虚设接触插塞包括第一虚设接触插塞，
所述多个上部互连包括重叠所述第一虚设接触插塞的第一上部互连，以及
所述第一虚设接触插塞的垂直中心轴位于所述第一上部互连外部。
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