[发明专利]脉冲磁场调控航天器黑障区强耗散等离子体的实验装置有效

专利信息
申请号: 201810461835.5 申请日: 2018-05-15
公开(公告)号: CN108630065B 公开(公告)日: 2020-05-08
发明(设计)人: 鄂鹏;凌文斌;徐风雨;赵庆 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: G09B23/00 分类号: G09B23/00
代理公司: 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 代理人: 陈新胜
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 脉冲 磁场 调控 航天器 黑障区强 耗散 等离子体 实验 装置
【权利要求书】:

1.一种脉冲磁场调控航天器黑障区强耗散等离子体的实验装置,其特征在于,所述脉冲磁场调控航天器黑障区强耗散等离子体的实验装置包括可控电源(1)、脉冲磁体(2)、壳体(3)、磁体引线(4)、磁体支撑结构(5)、等离子体源(6)和真空室(7),壳体(3)外表面和等离子体源(6)处在真空室(7)内,壳体(3)内部处在空气中,脉冲磁体(2)和磁体支撑结构(5)位于壳体(3)内部,壳体(3)的端部是法兰,法兰与真空室(7)连接,壳体(3)的腹部通过支撑脚固定到真空室(7)上;磁体支撑结构(5)由杆和支撑块组成,杆将支撑块装入壳体(3)内部并控制支撑块的转动,支撑块用于固定脉冲磁体(2),脉冲磁体(2)随支撑块的转动而转动支撑;脉冲磁体(2)的磁体引线(4)从支撑块中引出连接到真空室(7)外的可控电源(1)上;等离子体源(6)放置在真空室(7)的端部。

2.根据权利要求1所述的脉冲磁场调控航天器黑障区强耗散等离子体的实验装置,其特征在于,所述壳体(3)为模拟航天器,其结构为圆筒型的中空结构,且头部为锥形。

3.根据权利要求1所述的脉冲磁场调控航天器黑障区强耗散等离子体的实验装置,其特征在于,所述脉冲磁体(2)为跑道型结构,由两段平行的导体和两个环状端部导体组成;脉冲磁体(2)的横截面呈拱形,脉冲磁体(2)的导体截面呈矩形,脉冲磁体(2)采用多匝导体绕制。

4.根据权利要求1所述的脉冲磁场调控航天器黑障区强耗散等离子体的实验装置,其特征在于,所述可控电源(1)由多个模块组成,且每个模块由主放电电路(1-1)、延时触发电路(1-2)、泄放电路(1-3)、充电电源(1-4)和充电电源保护电路(1-5)组成。

5.根据权利要求1或4所述的脉冲磁场调控航天器黑障区强耗散等离子体的实验装置,其特征在于,所述可控电源(1)为脉冲电源。

6.根据权利要求4所述的脉冲磁场调控航天器黑障区强耗散等离子体的实验装置,其特征在于,所述充电电源(1-4)为一个直流电压源。

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