[发明专利]发射激光器及光源组件

说明书

本发明公开的发射激光器包括依次层叠设置的阴极、衬底、N型分布式布拉格反射镜、量子阱、限制层、P型分布式布拉格反射镜、相位匹配层及阳极，发射激光器还包括导引电极，导引电极的一端穿过衬底并与阴极电性连接，导引电极的另一端露出在发射激光器外并与阳极位于衬底的同一侧。本发明实施方式的发射激光器通过设置导引电极，并使导引电极的一端与阴极电性连接、及使导引电极的另一端露出在发射激光器外并与阳极位于衬底的同一侧，从而便于发射激光器与其他电子元件电性连接。本发明还公开了一种光源组件。

技术领域

本发明涉及半导体激光器领域，更具体而言，涉及一种发射激光器及光源组件。

背景技术

现有的垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser,VCSEL)的阳极及阴极分别形成在发射激光器的相背的两侧表面上，当发射激光器安装在电路板上时，发射激光器与电路板电性连接比较困难。

发明内容

本发明实施方式提供一种发射激光器及光源组件。

本发明实施方式的发射激光器包括依次层叠设置的阴极、衬底、N型分布式布拉格反射镜、量子阱、限制层、P型分布式布拉格反射镜、相位匹配层及阳极，所述发射激光器还包括导引电极，所述导引电极的一端穿过所述衬底并与所述阴极电性连接，所述导引电极的另一端露出在所述发射激光器外并与所述阳极位于所述衬底的同一侧。

在某些实施方式中，所述衬底的面积大于所述N型分布式布拉格反射镜的面积、大于所述量子阱的面积、大于所述限制层的面积、大于所述P型分布式布拉格反射镜的面积、大于所述相位匹配层的面积、及大于所述阳极的面积，所述衬底包括与所述N型分布式布拉格反射镜对齐的支撑部及凸出于所述N型分布式布拉格反射镜的延伸部，所述阴极设置在所述支撑部及所述延伸部上，所述导引电极位于所述发射激光器的与所述延伸部对应的一侧，所述导引电极穿过所述延伸部并与位于所述延伸部上的所述阴极连接。

在某些实施方式中，所述延伸部开设有贯穿所述延伸部的衬底过孔，所述导引电极的一端设置在所述衬底过孔内并与所述阴极连接，所述导引电极的另一端从所述衬底露出在所述发射激光器外。

在某些实施方式中，所述N型分布式布拉格反射镜的面积大于所述量子阱的面积、大于所述限制层的面积、大于所述P型分布式布拉格反射镜的面积、大于所述相位匹配层的面积、及大于所述阳极的面积，所述衬底与所述N型分布式布拉格反射镜匹配，所述阴极与所述衬底匹配，所述N型分布式布拉格反射镜包括与所述量子阱对齐的匹配部及凸出于所述量子阱的凸出部，所述导引电极位于所述发射激光器的与所述凸出部对应的一侧，所述导引电极穿过所述凸出部、及所述衬底并与位于与所述凸出部对应的所述阴极连接。

在某些实施方式中，所述凸出部开设有贯穿所述凸出部的反射镜过孔，所述衬底开设有贯穿所述衬底并与所述反射镜过孔连通的衬底过孔，所述导引电极的一端设置在所述反射镜过孔、及所述衬底过孔内并与所述阴极连接，所述导引电极的另一端从所述N型分布式布拉格反射镜露出在所述发射激光器外。

在某些实施方式中，所述衬底包括InP衬底、GaAs衬底、GaN衬底、SiC衬底、Si衬底中的任意一种。

在某些实施方式中，所述导引电极的远离所述阴极一端与所述阳极在同一平面上。

本发明实施方式的光源组件包括：

光源电路板；及

上述任意一项实施方式所述的发射激光器，所述发射激光器安装在所述光源电路板上。

在某些实施方式中，所述导引电极的远离所述阴极一端与所述阳极在同一平面上。

在某些实施方式中，所述发射激光器通过打线与所述光源电路板电性连接。