[发明专利]晶体振荡电路及其方法

说明书

一种晶体振荡电路包含：用以于第一节点接收第一电压并于第二节点输出第二电压的反相器；位于第一节点与第二节点之间的反馈网络，其中反馈网络包含以串联连接的第一反馈电阻、箝制网络与第二反馈电阻；位于第二节点与第三节点之间的第一选择性电阻；位于第四节点与第一节点之间的第二选择性电阻；位于第三节点与第四节点之间的晶体；位于第三节点与接地节点之间的第一分流电容；及位于第四节点与接地节点之间的第二分流电容。本公开还涉及一种晶体振荡方法。

技术领域

本公开涉及晶体振荡电路，特别是一种具低噪声的晶体振荡电路及其方法。

背景技术

图1为传统的晶体振荡电路的概要示意图。如图1所示，传统的晶体振荡电路100包含反相器110、自偏压反馈电阻130、第一选择性电阻170、第二选择性电阻160以及谐振槽180。反相器110接收节点101的电压V_A，并且输出电压V_B至节点102。自偏压反馈电阻130位于节点102与节点101之间。第一选择性电阻170位于节点102与节点103之间。第二选择性电阻160位于节点104与节点101之间。谐振槽180包含晶体120、第一分流电容150(shuntcapacitor，分路电容器)与第二分流电容140。其中，晶体120位于节点103与节点104之间。第一分流电容150用以分流(shunt)节点103的电压V_C至地，且第二分流电容140用以分流节点104的电压V_D至地。当不使用第一选择性电阻170时，可利用短路电路取代第一选择性电阻170。同样地，当不使用第二选择性电阻160时，可利用短路电路取代第二选择性电阻160。传统的晶体振荡电路100为本技术领域中技术人员所熟知且广泛地运用于前案之中，因此于此不再详加赘述。

在此类型的晶体振荡电路100中存有一课题，即自偏压反馈电阻130通常是噪声的主要贡献者并可能劣化电路性能。然而，晶体振荡电路100不具有自偏压反馈电阻130时，却可能无法振荡。

发明内容

为解决上述问题，在一实施例中，一种晶体振荡电路包含反相器、反馈网络、第一分流电容、第二分流电容与晶体。反相器用以接收第一节点的第一电压，并且输出第二电压至第二节点。反馈网络位于第一节点与第二节点之间。反馈网络包含以串联连接的第一反馈电阻、箝制网络与第二反馈电阻。晶体位于第三节点与第四节点之间。其中，第三节点耦合于第二节点，且第四节点耦合于第一节点。第一分流电容位于第三节点与接地节点之间，且第二分流电容位于第四节点与接地节点之间。

在一实施例中，一种晶体振荡方法，包含：设置反相器以放大第一节点的第一电压成为第二节点的第二电压；设置晶体于第三节点与第四节点之间，其中第三节点耦合于第二节点，且第四节点耦合于第一节点；设置第一分流电容于第三节点与接地节点之间；设置第二分流电容于第四节点与接地节点之间；以及设置反馈网络于第二节点与第一节点之间，其中反馈网络包含以串联连接的第一反馈电阻、箝制网络与第二反馈电阻。

附图说明

图1为传统的晶体振荡电路的概要示意图。

图2为本公开一实施例的晶体振荡电路的概要示意图。

图3为图2中晶体振荡电路的波形示意图。

图4为反相器的概要示意图。

图5为本公开一实施例的晶体振荡方法的流程图。

符号说明

100 晶体振荡电路 101 节点

102 节点 103 节点

104 节点 110 反相器

120 晶体 130 自偏压反馈电阻