[发明专利]一种新型MOS结构的制备方法及得到的MOS结构

权利要求书

1.一种新型MOS结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

步骤1、在氩气和氧气用量比为(32～38):(4～6)的气氛下在硅片上沉积非晶金属氧化物薄膜，得到沉积有非晶稀土氧化物薄膜的硅片；

步骤1包括以下子步骤：

步骤1-1、对稀土靶材表面进行打磨清洁处理，并安装在磁控溅射镀膜设备腔室的靶位上；所述稀土靶材选自金属钆、金属钇、金属镧和金属铈中的一种或几种，

步骤1-2、将硅片衬底置于磁控溅射镀膜设备腔室的基底盘上进行固定；

步骤1-3、抽真空处理，并通入氩气，然后调节射频电源功率，进行预溅射；

步骤1-4、通入氩气和氧气，调节射频电源的功率，进行薄膜溅射，于90～110W的功率下溅射1～3min，得到厚度为15～25nm的薄膜，得到沉积有非晶稀土氧化物薄膜的硅片；

步骤2、采用掩膜板遮盖步骤1得到的沉积有非晶稀土氧化物薄膜的硅片；

步骤3、在非晶稀土氧化物薄膜的上层和硅片的底层分别溅射金属电极，得到所述MOS结构；金属电极选自金、银和钯中的一种或几种。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤1-1中，所述稀土靶材为金属钆。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤1-3中，抽真空处理至真空度小于9×10^-4Pa。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在步骤1-3中，抽真空处理至真空度小于7×10^-4Pa。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤1-3中，所述预溅射如下进行：于60～120W的溅射功率下溅射10～25min。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤1-3中，所述预溅射如下进行：于80～100W的溅射功率下溅射15～20min。

7.根据权利要求1至6之一所述的制备方法，其特征在于，在步骤1-4中，氩气和氧气的用量比为(34～36)：5。

8.根据权利要求1至6之一所述的制备方法，其特征在于，在步骤1-4中，所述薄膜溅射如下进行：于100W的功率下溅射2min，得到厚度为20nm的薄膜。

9.根据权利要求1至6之一所述的制备方法，其特征在于，在步骤3中，在非晶稀土氧化物薄膜的上层溅射的金属电极为钯。

10.根据权利要求1至6之一所述的制备方法，其特征在于，在步骤1之前，对硅片进行清洗。