[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置有效
| 申请号： | 201810463658.4 | 申请日： | 2018-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN110491836B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供衬底并图案化所述衬底，以在所述衬底上形成鳍片；
沉积隔离材料层，以覆盖所述鳍片；
回蚀刻所述隔离材料层，以在所述衬底上由内至外形成目标高度的若干鳍片；
去除所述衬底上最外侧的所述鳍片，以在去除所述鳍片的区域形成凹槽，以消除隔离材料层的负载效应得到高度均一的鳍片；
至少在所述凹槽顶部的水平表面上形成停止层；
形成绝缘材料层，以填充所述凹槽并覆盖所述鳍片；
回蚀刻所述绝缘材料层至所述停止层。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述衬底表面和所述凹槽表面形成所述停止层，以覆盖剩余的所述鳍片。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，在回蚀刻所述绝缘材料层至所述停止层之后，所述方法还进一步包括去除剩余的所述鳍片上和所述衬底表面上的所述停止层的步骤。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在沉积所述隔离材料层之前，所述方法还包括在所述衬底和所述鳍片表面形成衬垫层的步骤。
5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，在回蚀刻所述隔离材料层的同时或之后，去除露出的所述鳍片表面的所述衬垫层。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，去除所述衬底上最外侧的所述鳍片的步骤包括：
蚀刻所述衬底上最外侧的所述鳍片至所述隔离材料层以下、所述衬底以上，以在所述隔离材料层中形成所述凹槽。
7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述衬底包括有源区，剩余的所述鳍片位于所述有源区内。
8.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件通过权利要求1至7之一所述的制造方法制备。
9.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括权利要求8所述的半导体器件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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