[发明专利]发光装置及其制造方法在审
申请号: | 201810464055.6 | 申请日: | 2018-05-15 |
公开(公告)号: | CN108598128A | 公开(公告)日: | 2018-09-28 |
发明(设计)人: | 江啓圣;蔡庭玮;詹钧翔;李欣浤;范铎正;蔡旻锦 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L27/15;H01L33/38;H01L21/77 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 绝缘层 发光单元 发光装置 驱动元件 开口 第一电极 第一基板 第二电极 发光层 侧壁 制造 | ||
1.一种发光装置,其特征在于,包括:
一第一基板;
一驱动元件,位于该第一基板上;
一第一绝缘层,设置于该驱动元件上方,其中该第一绝缘层具有一第一开口;以及
一发光单元,位于该第一开口中,且电性连接至该驱动元件,其中该发光单元包括一第一电极、一发光层以及一第二电极,而该第一电极位于该第一开口的底部和侧壁。
2.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,该第一开口的内径随着远离该第一基板渐增。
3.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,该发光单元更包括:
一电洞传输层,位于该第一电极和该发光层之间;以及
一电子传输层,位于该第二电极和该发光层之间。
4.根据权利要求3所述的发光装置,其特征在于,更包括:
一第二绝缘层,位于该第一绝缘层之上,且该第二绝缘层围绕该发光层和该电子传输层。
5.根据权利要求4所述的发光装置,其特征在于,该电洞传输层覆盖于该第一绝缘层和该第一电极上。
6.根据权利要求3所述的发光装置,其特征在于,更包括:
一第二绝缘层,覆盖于该第一绝缘层上,其中该第二绝缘层具有一第二开口,且该电洞传输层和该发光层位于该第二开口中。
7.根据权利要求6所述的发光装置,其特征在于,该第二绝缘层为无机材料。
8.根据权利要求3所述的发光装置,其特征在于,该发光单元更包括:
一电子注入层,位于该第二电极和该电子传输层之间。
9.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,该发光单元由无机材料所构成。
10.根据权利要求9所述的发光装置,其特征在于,该发光层的材料包括钙钛矿。
11.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,更包括:
一色阻层,位于该发光单元上。
12.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,更包括:
一微透镜结构,位于该发光单元上。
13.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,更包括:
一间隔物,位于该第二绝缘层上以及该发光单元的一侧边。
14.根据权利要求13所述的发光装置,其特征在于,更包括:
一第二基板,其中该间隔物位于该第二绝缘层与该第二基板之间。
15.一种发光装置的制造方法,其特征在于,包括:
提供一第一基板;
形成一驱动元件于该第一基板上;
形成一第一绝缘层于该驱动元件上,其中该第一绝缘层具有一第一开口;以及
形成一发光单元于该第一开口中,该发光单元电性连接至该驱动元件,其中该发光单元包括一第一电极、一发光层以及一第二电极,而该第一电极形成于该第一开口的底部和侧壁上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的