[发明专利]一种深紫外平面光波导制作方法

权利要求书

1.一种深紫外平面光波导制作方法，其特征在于工艺过程包括制备基底层、制备芯层、制备保护层和制备上包层共四个步骤：

(一)制备基底层：将二氧化硅基片裁剪成设定的尺寸，完成基底层的制备；

(二)制备芯层：采用等离子增强化学气相沉积法、低压化学气相沉积法、化学气相沉积法或火焰法在基底层的上表面生长含有硼和磷的二氧化硅，完成芯层的制备；

(三)制备保护层：按照设定的尺寸裁减掉部分基底层和芯层，基底层上的凸起为凸台，基底层和芯层形成凸状结构，采用气相沉积或硅烷法在凸状结构的上表面生长一层多晶硅膜或纯硅膜，使用热氧化工艺将多晶硅莫或硅膜氧化成二氧化硅，完成保护层的制备；

(四)制备上包层：采用等离子增强化学气相沉积法、低压化学气相沉积法、化学气相沉积法或火焰法在保护层的上表面生长含有硼和磷的二氧化硅，完成上包层的制备，其中，硼和磷在上包层的二氧化硅中的含量小于硼和磷在芯层的二氧化硅中的含量，得到深紫外平面光波导；所述芯层与上包层选用相同的工艺方法制作。

2.根据权利要求1所述的深紫外平面光波导制作方法，其特征在于制备的深紫外平面光波导的主体结构包括基底层、凸台、芯层、保护层和上包层；长方体结构的基底层的上表面中心处沿纵向轴线设置有长方体结构的凸台，凸台的上表面设置有长方体结构的芯层，基底层的上表面未设置凸台的位置与芯层的上表面设置有保护层，保护层的上表面设置有上包层；基底层和凸台为二氧化硅基片，二氧化硅基片能够减少基底层和凸台与芯层结合产生的热应力，降低了基底层、凸台和芯层的制作成本；芯层和上包层均为含有硼和磷的二氧化硅基片，硼和磷在芯层中的含量大于硼和磷在上包层中的含量，掺硼的目的是减小芯层分别与凸台和保护层结合产生的热应力以及上包层与保护层结合产生的热应力，掺磷的目的是增加芯层和上包层的折射率，芯层的折射率分别大于基底层的折射率和上包层的折射率；保护层为多晶硅或硅氧化成的二氧化硅膜层，保护层能够保护芯层并防止芯层与上包层发生互溶，由于芯层的折射率与上包层的折射率相差较小，芯层的理化性质与上包层的理化性质相近，芯层与上包层直接接触时，芯层与上包层会发生互溶。