[发明专利]一种单晶碳化硅衬底晶片清洗方法

权利要求书

1.一种单晶碳化硅衬底晶片清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S10，冲洗处理：将抛光后的单晶碳化硅衬底晶片放到陶瓷盘中，调整水压调节阀，使水通过尖嘴喷水口打在陶瓷盘上的晶片，控制水流量去除晶体表面残留的抛光液和大颗粒的金属粒子污染物，通过转动陶瓷盘使水扫过陶瓷盘上晶片的每个位置；

步骤S20，低频纯水超声处理：将步骤S10冲洗后的单晶碳化硅衬底晶片放入低频纯水超声槽，进一步去除单晶碳化硅衬底晶片表面的大颗粒的污染物；

步骤S30，药液处理：将步骤S20低频纯水超声处理后的单晶碳化硅衬底晶片放入药液槽中，使用清洗剂清洗小颗粒的污染物；

步骤S40，QDR处理：将步骤S30药液处理后的单晶碳化硅衬底晶片放入QDR槽中，进行单晶碳化硅衬底晶片的表面清洗及残余清洗；

步骤S10中，所述冲洗处理的装置包括：水压调节阀、扁平式喷水口、陶瓷盘；

步骤S20中，所述低频纯水超声处理的工艺参数为：超声频率10KHz～40KHz，纯水温度40℃～80℃，制程时间3min～12min；

步骤S30中，所述药液处理的工艺参数为：超声频率60KHz～120KHz，药液配比3％～15％，循环滤芯0.5um～1um，制程时间5min～15min；

步骤S30中，所述药液处理使用的清洗剂的碱性pH值在8～14。

2.根据权利要求1所述的单晶碳化硅衬底晶片清洗方法，其特征在于，步骤S10中，所述尖嘴喷水口处套有扁平式的喷水口。

3.根据权利要求1所述的单晶碳化硅衬底晶片清洗方法，其特征在于，步骤S10中，冲洗处理时间为2min～8min。

4.根据权利要求1所述的单晶碳化硅衬底晶片清洗方法，其特征在于，步骤S20中，所述低频纯水超声槽包括：超声波板、晶片盒。

5.根据权利要求1所述的单晶碳化硅衬底晶片清洗方法，其特征在于，步骤S30中，所述药液槽包括：超声板、晶片盒、循环滤芯。

6.根据权利要求1所述的单晶碳化硅衬底晶片清洗方法，其特征在于，步骤S40中，QDR处理清洗的时间为5min～15min。