[发明专利]化学机械研磨制程方法及系统在审

专利信息
申请号: 201810466794.9 申请日: 2018-05-16
公开(公告)号: CN110497303A 公开(公告)日: 2019-11-26
发明(设计)人: 任晓荣 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: B24B37/005 分类号: B24B37/005;B24B37/34
代理公司: 11313 北京市铸成律师事务所 代理人: 张臻贤;武晨燕<国际申请>=<国际公布>
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 晶圆 研磨 化学机械研磨 制程 生产室 研磨装置 移除 动态调整 建立控制 控制模型 控制系统 轮廓类型 分组 平坦度 采集 生产
【权利要求书】:

1.一种化学机械研磨制程方法,其特征在于,包括:

将不同生产室获取的晶圆按照轮廓类型进行分组,以得到多个晶圆组;

针对每个晶圆组建立控制模型,其中,所述控制模型包括对所述晶圆的研磨参数;

根据所述研磨参数对所述晶圆组中的晶圆进行研磨;

采集在所述研磨过程中所述晶圆的膜厚度的移除量;以及

根据所述晶圆的膜厚度的移除量调整同一所述晶圆组中下一晶圆的研磨参数,并根据调整的研磨参数对所述下一晶圆进行研磨。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述晶圆的膜厚度的移除量调整同一所述晶圆组中下一晶圆的研磨参数,包括:

建立所述晶圆的膜厚度的移除量与研磨时间的关联曲线;以及

根据所述关联曲线,基于当前晶圆的膜厚度的移除量来调整同一所述晶圆组中下一晶圆的研磨时间。

3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述关联曲线表示所述晶圆的膜厚度的移除量与研磨时间成正比。

4.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述根据所述晶圆的膜厚度的移除量调整同一所述晶圆组中下一晶圆的研磨参数,还包括:

将所述晶圆分成多个区域;

分别测量当前晶圆经研磨后各个区域的膜厚度的移除量;以及

根据当前晶圆的各个区域的膜厚度的移除量调整同一所述晶圆组中下一晶圆的各个区域的研磨压力。

5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,所述根据当前晶圆的各个区域的膜厚度的移除量调整同一所述晶圆组中下一晶圆的各个区域的研磨压力,包括:

设置所述晶圆组中晶圆目标移除量;以及

比较当前晶圆经研磨后各个区域的膜厚度的移除量与所述目标移除量,以根据比较结果调整同一所述晶圆组中下一晶圆的各个区域的研磨压力。

6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述根据比较结果调整同一所述晶圆组中下一晶圆的各个区域的研磨压力,包括:

所述当前晶圆的一区域的膜厚度的移除量大于所述目标移除量时,减小同一所述晶圆组中下一晶圆的所述区域的研磨压力;以及

所述当前晶圆的一区域的膜厚度的移除量小于所述目标移除量时,增大同一所述晶圆组中下一晶圆的所述区域的研磨压力。

7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述控制模型包括制程到制程控制模型。

8.一种化学机械研磨制程系统,其特征在于,包括:

多个生产室,用于生产晶圆,其中,不同生产室生产的晶圆的表面具有不同的轮廓;以及

研磨装置,用于实现如权利要求1至7任一项权利要求所述的化学机械研磨制程方法。

9.如权利要求8所述的系统,其特征在于,所述研磨装置包括:

前量测模块,用于测量晶圆在化学机械研磨制程前的第一膜厚;

后量测模块,用于测量晶圆经过化学机械研磨制程后的第二膜厚;

控制系统,与所述前量测模块和所述后量测模块连接,用于接收所述前量测模块测量的所述晶圆的第一膜厚和所述后量测模块测量的所述晶圆的第二膜厚,以得到当前所述晶圆的膜厚移除量;并根据对应所述控制模型的所述晶圆的研磨参数,确定同一所述晶圆组中下一晶圆的研磨时间和各区域研磨压力;以及

研磨机台,用于根据所述控制系统确定的所述研磨时间和各区域研磨压力对同一所述晶圆组中下一晶圆进行化学机械研磨。

10.如权利要求9所述的系统,其特征在于,所述控制模型包括制程到制程控制模型。

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