[发明专利]利用丙酮清洗剂溶液剥离工件表面膜的方法在审
| 申请号： | 201810467954.1 | 申请日： | 2018-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN108906763A | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 熊志红;张远 | 申请（专利权）人： | 深圳仕上电子科技有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/08 | 分类号： | B08B3/08;B08B3/10;B08B13/00 |
| 代理公司： | 深圳市汉唐知识产权代理有限公司 44399 | 代理人： | 刘海军 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 丙酮清洗剂 工件表面 浸泡 去除 剥离 化学反应 纯水浸泡 干燥处理 浸泡清洗 超纯水 干燥炉 无残留 目测 丙酮 治具 附着 流动 冲洗 损伤 | ||
1.一种利用丙酮清洗剂溶液剥离工件表面膜的方法，其特征是：所述的方法包括下述步骤：
（1）、丙酮清洗剂浸泡处理：采用的丙酮清洗剂对工件进行浸泡处理，反应为在常温温度下进行浸泡反应，反应时间为8~14小时，直至目测工件表面无残留膜为止；
（2）、纯水浸泡：采用流动的水进行浸泡冲洗60分钟以上，浸泡时应保持超纯水的流动；
（3）、干燥：将浸泡清洗后的工件放在干燥炉的治具上进行干燥处理。
2.根据权利要求1所述的利用丙酮清洗剂溶液剥离工件表面膜的方法，其特征是：所述的步骤（1）中丙酮清洗剂的丙酮纯度为大于或等于99.8%。
3.根据权利要求1所述的利用丙酮清洗剂溶液剥离工件表面膜的方法，其特征是：所述的步骤（1）中丙酮清洗剂浸泡时在半导体清洗房内进行，浸泡清洗前，半导体清洗房防爆排风应继续运转2小时以上，浸泡清洗过程中，半导体清洗房的防爆排风应当处于打开状态。
4.根据权利要求1所述的利用丙酮清洗剂溶液剥离工件表面膜的方法，其特征是：所述的步骤（1）中丙酮清洗剂使用3次过后，则报废。
5.根据权利要求1所述的利用丙酮清洗剂溶液剥离工件表面膜的方法，其特征是：所述的步骤（2）中采用的水为电阻率大于或等于12MΩ.CM的超纯水。
6.根据权利要求1所述的利用丙酮清洗剂溶液剥离工件表面膜的方法，其特征是：所述的步骤（3）中采用CDA吹干，干燥温度为150±5°，干燥时间为6小时以上。
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