[发明专利]光热电转换器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201810468471.3 | 申请日： | 2018-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN108807655B | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 谢燕楠;何明会;张彬彬;林宗宏;王书棠;林鸿宾 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01L35/28 | 分类号： | H01L35/28;H01L35/14;H01L35/18 |
| 代理公司： | 广东品安律师事务所 44420 | 代理人： | 刘井 |
| 地址： | 361000 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 热电 转换 器件 及其 制造 方法 | ||
1.光热电转换器件，其特征在于包括：
第一电极和第二电极；
在所述第一电极表面形成的光热单元；
绝缘材料形成的衬底层；
以及在所述第一电极和所述衬底层之间由热电材料形成的热电单元；
所述光热单元具有纳米结构体形式的光热材料，所述第二电极与所述热电单元电性接触；
所述第一电极和第二电极在衬底层的投影不重叠。
2.根据权利要求1所述的光热电转换器件，其特征在于：所述第二电极位于所述热电单元和所述衬底层之间。
3.根据权利要求1所述的光热电转换器件，其特征在于：所述光热单元包括二硫化钼、碳纳米管、石墨烯、金纳米材料或硫化铜。
4.根据权利要求1所述的光热电转换器件，其特征在于：所述光热单元为包括二硫化钼的高分子聚合物，所述二硫化钼在高分子聚合物中的重量百分比为0.5％-3％。
5.根据权利要求1所述的光热电转换器件，其特征在于：所述热电单元包括：由纳米结构体形式的半导体热电材料和聚合物热电材料混合形成的复合材料。
6.根据权利要求5所述的光热电转换器件，其特征在于：所述半导体热电材料包括Te、Bi2Te3、SbTe3、PbTe或BiSbTe。
7.制造光热电转换器件的方法，其特征在于，该方法包括：
在第一电极表面形成具有纳米结构体形式的光热材料；
在第一电极和绝缘衬底层之间形成热电材料；
所述热电单元与第二电极电性接触；
所述第一电极和第二电极在衬底层的投影不重叠。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：所述光热单元由导电电浆与光热材料混合形成，所述光热材料包括二硫化钼、碳纳米管、石墨烯、金纳米材料或硫化铜。
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