[发明专利]晶圆弯曲度的确定方法以及扫描设备有效
申请号: | 201810469620.8 | 申请日: | 2018-05-16 |
公开(公告)号: | CN108666229B | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 张杰真;刘命江;黄仁德 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67;G01B11/24;G01B17/06 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 武振华;吴敏 |
地址: | 223302 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 弯曲 确定 方法 以及 扫描 设备 | ||
1.一种晶圆弯曲度的确定方法,其特征在于,包括:
确定晶圆基座的表面与水平面之间的水平夹角;
提供晶圆,将所述晶圆设置于所述晶圆基座的表面;
测量所述晶圆的中心点至预设测量平面的距离,记为第一距离,所述预设测量平面平行于水平面;
测量所述晶圆的边缘点至所述预设测量平面的距离,记为第二距离,所述边缘点位于所述晶圆的边缘;
根据所述第一距离、第二距离以及所述水平夹角,确定所述晶圆弯曲度;其中,根据所述第一距离、第二距离以及所述水平夹角,确定所述晶圆弯曲度包括:
确定所述晶圆的中心点与边缘点分别在所述预设测量平面的投影之间的距离,记为移动距离;
根据所述第一距离、第二距离以及所述移动距离,确定从所述晶圆的中心点至所述晶圆的边缘点的连线与竖直方向的竖直夹角;
根据所述竖直夹角、水平夹角以及所述晶圆的半径,确定当所述晶圆基座的表面平行于水平面时,所述晶圆的边缘点与所述晶圆的中心点的高度差;
根据所述高度差,以及所述晶圆的厚度,确定所述晶圆弯曲度。
2.根据权利要求1所述的晶圆弯曲度的确定方法,其特征在于,采用以下公式,确定从所述晶圆的中心点至所述晶圆的边缘点的连线与竖直方向的竖直夹角:
tanλ=(m-h)/d;
∠β=∠λ+90°;
其中,β用于表示所述竖直夹角且为钝角,m用于表示所述第一距离,h用于表示所述第二距离,d用于表示所述移动距离,λ用于表示从所述晶圆的中心点至所述晶圆的边缘点的连线与水平方向的夹角且为锐角。
3.根据权利要求1所述的晶圆弯曲度的确定方法,其特征在于,采用以下公式,确定当所述晶圆基座的表面平行于水平面时,所述晶圆的边缘点与所述晶圆的中心点的高度差:
∠γ=360°-90°-(90°-1/2×∠α)-∠β;
L=2Rsinα×sinγ;
其中,L用于表示当所述晶圆基座的表面绕中心点旋转至平行于水平面时,所述晶圆的边缘点的移动位移在竖直方向上的高度差,γ用于表示当所述晶圆基座的表面绕中心点旋转至平行于水平面时,所述晶圆的边缘点的移动位移的方向与水平方向的夹角,R用于表示所述晶圆的半径,α用于表示所述水平夹角且为锐角,β用于表示所述竖直夹角且为钝角。
4.根据权利要求1所述的晶圆弯曲度的确定方法,其特征在于,采用以下公式,确定所述晶圆弯曲度:
BOW=m-h-L+1/2×T;
其中,BOW用于表示所述晶圆弯曲度,m用于表示所述第一距离,h用于表示所述第二距离,L用于表示当所述晶圆基座的表面绕中心点旋转至平行于水平面时,所述晶圆的边缘点的移动位移在竖直方向上的高度差,T用于表示所述晶圆的厚度。
5.根据权利要求1所述的晶圆弯曲度的确定方法,其特征在于,确定晶圆基座的表面与水平面之间的水平夹角包括:
测量所述晶圆基座表面的N个点至预设基座测量平面的距离,其中,N≥3,且N为正整数,所述预设基座测量平面平行于水平面;
根据所述预设基座测量平面至所述晶圆基座表面的N个点的距离,确定所述晶圆基座的表面;
确定所述晶圆基座的表面与水平面之间的水平夹角。
6.根据权利要求5所述的晶圆弯曲度的确定方法,其特征在于,采用第二测量探头测量所述晶圆基座表面的N个点至预设基座测量平面的距离,所述第二测量探头为超声波扫描探头或激光扫描探头。
7.根据权利要求1所述的晶圆弯曲度的确定方法,其特征在于,采用第一测量探头测量所述第一距离与第二距离,所述第一测量探头为超声波扫描探头或激光扫描探头。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造