[发明专利]OLED显示基板及其制作方法、显示装置

说明书

本发明提供了一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，OLED显示基板包括阵列排布的多个开口区域，还包括位于衬底基板上的存储电容，所述存储电容的透光率大于预设阈值，所述存储电容在所述衬底基板上的正投影与所述开口区域在所述衬底基板上的正投影具有重叠区域。通过本发明的技术方案能够提高OLED显示基板的开口率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是指一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

有源矩阵有机发光二极体(Active-matrix organic light emitting diode，AMOLED)显示器具有广阔的市场应用。现有技术中，底发光OLED显示器件主要用于大尺寸显示，例如OLED电视。但是大尺寸OLED显示器一直存在开口率低的问题。

现有的OLED显示基板将开口区域和存储电容分开设计，存储电容部分采用源漏金属层、ITO层以及半导体层构成，存储电容区域无法使光线通过，从而降低了OLED显示基板的开口率，现有采用3T1C像素结构的OLED显示器的开口率一般仅在20％～30％之间。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置，能够提高OLED显示基板的开口率。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：

一方面，提供一种OLED显示基板，包括阵列排布的多个开口区域，还包括位于衬底基板上的存储电容，所述存储电容的透光率大于预设阈值，所述存储电容在所述衬底基板上的正投影与所述开口区域在所述衬底基板上的正投影具有重叠区域。

进一步地，所述存储电容在所述衬底基板上的正投影落入所述开口区域在所述衬底基板上的正投影内。

进一步地，所述存储电容包括第一电容电极、设置在所述第一电容电极上的第一绝缘层、设置在所述第一绝缘层上的第二电容电极、设置在所述第二电容电极上的第二绝缘层、设置在所述第二绝缘层上的第三电容电极，且所述第三电容电极与所述第一电容电极电性连接。

进一步地，所述第一电容电极采用导体化的有源层；

所述第二电容电极采用透明电极；

所述第三电容电极采用所述OLED显示基板的阳极。

进一步地，所述透明电极采用ITO、石墨烯和MoTi中的一种。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的OLED显示基板。

本发明实施例还提供了一种OLED显示基板的制作方法，所述OLED显示基板包括阵列排布的多个开口区域，所述制作方法包括：

在衬底基板上制作透光率大于预设阈值的存储电容，所述存储电容在所述衬底基板上的正投影与所述开口区域在所述衬底基板上的正投影具有重叠区域。

进一步地，所述制作方法具体包括：

在所述衬底基板上制作正投影落入所述开口区域在所述衬底基板上的正投影内的存储电容。

进一步地，制作所述存储电容包括：

制作第一电容电极；

制作位于所述第一电容电极上的第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上制作第二电容电极；

制作位于所述第二电容电极上的第二绝缘层；

在所述第二绝缘层上制作第三电容电极，所述第三电容电极与所述第一电容电极电性连接。

进一步地，制作所述第一电容电极包括：