[发明专利]器件结构形成方法以及图像传感器形成方法在审
申请号: | 201810469787.4 | 申请日: | 2018-05-16 |
公开(公告)号: | CN108550596A | 公开(公告)日: | 2018-09-18 |
发明(设计)人: | 熊易斯 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/762 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 器件结构 衬底 半导体 图像传感器 刻蚀 介电抗反射层 光刻胶层 工艺流程 图形化 掩模 掩膜 连通 | ||
1.一种器件结构形成方法,其特征在于,包括:
在半导体衬底上形成介电抗反射层;
在所述介电抗反射层上形成第一图形化的光刻胶层,并以所述第一图形化的光刻胶层为掩膜,刻蚀所述介电抗反射层形成第一开口,再去除所述第一图形化的光刻胶层;
以所述介电抗反射层为掩膜,刻蚀所述半导体衬底,以在对应所述第一开口处形成第一沟槽的第一部分和第二沟槽;
在所述介电抗反射层上形成第二图形化的光刻胶层,所述第二图形化的光刻胶层填充所述第一沟槽的第一部分和第二沟槽,并以所述第二图形化的光刻胶层为掩膜,刻蚀所述介电抗反射层形成第二开口,所述第二开口位于所述第一沟槽的第一部分上方;以及
以所述第二图形化的光刻胶层和介电抗反射层为掩膜,刻蚀所述半导体衬底以形成第一沟槽的第二部分,所述第一沟槽的第二部分与所述第一沟槽的第一部分连通,以形成第一沟槽,再去除所述第二图形化的光刻胶层以及所述介电抗反射层。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:
在所述第一沟槽以及所述第二沟槽中形成填充层。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述介电抗反射层的厚度为
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二开口的开口宽度大于所述第一沟槽的第一部分的宽度。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一沟槽的第一部分与所述第二沟槽的深度均为0.2~0.6μm,所述第一沟槽的深度为1.5~3μm。
6.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述填充层的材质是钨或氧化钨。
7.如权利要求2所述的方法,其特征在于,形成填充层的步骤包括:
采用物理气相沉积工艺或化学气相沉积工艺在所述第一沟槽以及所述第二沟槽中形成填充材料;以及
通过化学机械研磨工艺去除所述第一沟槽以及所述第二沟槽之外的填充材料,以在所述第一沟槽以及所述第二沟槽中形成填充层。
8.一种图像传感器的形成方法,其特征在于,包括:
采用如权利要求1至7中任一项所述的器件结构形成方法形成第一沟槽以及第二沟槽;以及
在所述第一沟槽以及所述第二沟槽中形成填充层,以形成电容式沟槽隔离结构以及深沟槽隔离结构。
9.如权利要求8所述的方法,其特征在于,所述图像传感器为CIS图像传感器,所述电容式沟槽隔离结构用于界定CIS图像传感器的像素单元的电路区域,所述深沟槽隔离结构用于隔离CIS图像传感器的相邻像素单元中的光以避免混光。
10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,所述电容式沟槽隔离结构和所述深沟槽隔离结构均呈环状,且所述深沟槽隔离结构包围所述电容式沟槽隔离结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的