[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

(a)在半导体衬底上沉积金属氧化物膜，所述金属氧化物膜具有铪和锆中的至少一种以及氧作为主要组分；

(b)在所述金属氧化物膜上沉积导体膜；

(c)使所述金属氧化物膜经受微波热处理；

(d)在所述导体膜上沉积半导体膜；以及

(e)将所述半导体膜、所述导体膜和所述金属氧化物膜图案化，以形成栅极电极和铁电膜，

其中所述栅极电极和所述铁电膜构成铁电存储单元。

2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中在(a)之后且在(b)之前执行(c)。

3.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中在(b)之后执行(c)。

4.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中(a)包括：

(a1)在所述半导体衬底之上形成第一绝缘膜；以及

(a2)沉积所述金属氧化物膜以由此覆盖所述第一绝缘膜。

5.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中(a)包括：

(a1)形成凸起，所述凸起具有所述半导体衬底的一部分并且从所述半导体衬底的主表面突出；以及

(a2)在所述半导体衬底的主表面之上沉积所述金属氧化物膜，以覆盖所述凸起。

6.根据权利要求5所述的制造半导体器件的方法，在(a1)之后且在(a2)之前，包括：

在所述凸起的表面之上形成第二绝缘膜。

7.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中(b)中的所述导体膜具有氮化钛作为主要组分。

8.根据权利要求7所述的制造半导体器件的方法，

其中通过RF溅射来沉积所述导体膜。

9.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中向所述金属氧化物膜添加元素硅、氮、碳和氟中的至少任一种。

10.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中(c)中的所述微波的频率为1GHz到10GHz。

11.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中所述栅极电极由所述半导体膜和所述导体膜形成，并且

其中所述铁电膜由所述金属氧化物膜形成。

12.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，包括：

(f)在从所述铁电膜曝光的所述半导体衬底中形成源极区域和漏极区域，

其中所述栅极电极、所述铁电膜、所述源极区域和所述漏极区域构成所述铁电存储单元。