[发明专利]分栅SONOS闪存存储器的制造方法

权利要求书

1.一种分栅SONOS闪存存储器的制造方法，其特征在于，包括如下工艺步骤：

步骤1，在衬底上生长选择管栅氧化层；

步骤2，淀积第一多晶硅poly层、氧化硅层；

步骤3，淀积氮化硅层；

步骤4，光刻打开并依次刻蚀氮化硅层、氧化硅层和第一多晶硅poly层，形成选择管多晶硅栅；

步骤5，在选择管多晶硅栅侧壁形成氧化层；

步骤6，刻蚀去除选择管多晶硅栅以外区域的栅氧化层，淀积形成ONO层；

步骤7，选择性刻蚀去除逻辑区的ONO层，形成逻辑区栅氧化层；

步骤8，在硅片上淀积第二多晶硅poly层；

步骤9，进行化学机械研磨；

步骤10，刻蚀第二多晶硅poly层，直至第二多晶硅poly层的高度与选择管多晶硅栅的高度一致；

步骤11，淀积氧化层并刻蚀，在选择管多晶硅栅上方的氮化硅层两侧形成侧墙；

步骤12，利用光刻胶和氮化硅层两侧的侧墙分别定义出逻辑区晶体管多晶硅栅和存储管多晶硅栅，进行自对准干法刻蚀同时形成逻辑区晶体管多晶硅栅和存储管多晶硅栅；

步骤13，去除光刻胶，在逻辑区晶体管多晶硅栅的两侧和顶面以及存储管多晶硅栅的侧壁形成氧化层侧墙；

步骤14，进行轻掺杂漏的注入；

步骤15，淀积氮化硅层并刻蚀，在逻辑区晶体管多晶硅栅和存储管多晶硅栅形成氮化层侧墙；

步骤16，源漏注入；

步骤17，进行后续工艺，完成SONOS闪存存储器的制造。

2.根据权利要求1所述的分栅SONOS闪存存储器的制造方法，其特征在于，在步骤1中，采用热氧氧化或化学气相淀积生长选择管栅氧化层，该选择管栅氧化层的厚度为

3.根据权利要求1所述的分栅SONOS闪存存储器的制造方法，其特征在于，在步骤2中，第一多晶硅poly层采用化学气相淀积形成，厚度为氧化硅层采用热氧氧化或化学气相淀积生成，厚度为

4.根据权利要求1所述的分栅SONOS闪存存储器的制造方法，其特征在于，在步骤2和步骤3之间，进行第一多晶硅poly层的掺杂注入。

5.根据权利要求1所述的分栅SONOS闪存存储器的制造方法，其特征在于，在步骤3中，氮化硅层的厚度为

6.根据权利要求1所述的分栅SONOS闪存存储器的制造方法，其特征在于，在步骤6中，所述ONO层位于整个硅片表面以及选择管多晶硅栅的侧壁、氮化硅层的侧壁和顶面上，其中底层氧化硅的厚度为中间氮化硅的厚度为顶层氧化硅的厚度为

7.根据权利要求1所述的分栅SONOS闪存存储器的制造方法，其特征在于，在步骤7中，逻辑区栅氧化层的厚度为

8.根据权利要求1所述的分栅SONOS闪存存储器的制造方法，其特征在于，在步骤8中，淀积的第二多晶硅poly层的厚度大于第一多晶硅poly层和氮化硅层的厚度之和。

9.根据权利要求1所述的分栅SONOS闪存存储器的制造方法，其特征在于，在步骤9中，以氮化硅层以及其顶面上的ONO层共同作为化学机械研磨的停止层，研磨后第二多晶硅poly层与氮化硅层齐平。

10.根据权利要求1所述的分栅SONOS闪存存储器的制造方法，其特征在于，在步骤11中，氧化层的淀积厚度为

11.根据权利要求1所述的分栅SONOS闪存存储器的制造方法，其特征在于，在步骤13中，氧化层侧墙的厚度为

12.根据权利要求1所述的分栅SONOS闪存存储器的制造方法，其特征在于，在步骤15中，氮化层侧墙的厚度为