[发明专利]用于经改善的前驱物流的半导体处理腔室

权利要求书

1.一种半导体处理系统，所述半导体处理系统包括：

处理腔室；

远程等离子体单元，所述远程等离子体单元与所述处理腔室耦接；和

适配器，所述适配器与所述远程等离子体单元耦接，其中所述适配器包括第一端和与所述第一端相对的第二端，其中所述适配器在所述第一端处限定通向中心通道的开口，其中所述中心通道由第一直径来表征，其中所述适配器在所述第二端处限定从第二通道离开的出口，其中所述适配器在所述适配器内、在所述第一端与所述第二端之间限定所述中心通道与所述第二通道之间延伸并且将所述中心通道与所述第二通道流体耦接的过渡部，其中所述第二通道由小于或等于所述第一直径和所述过渡部的最小直径的外径来表征，其中所述适配器限定所述过渡部与所述适配器的所述第二端之间的第三通道，并且其中所述第三通道与所述适配器内的所述中心通道和所述第二通道流体隔离。

2.如权利要求1所述的半导体处理系统，其中所述中心通道由第一横截表面面积直径来表征并且所述第二通道由小于所述第一横截面积的第二横截面积来表征。

3.如权利要求1所述的半导体处理系统，其中所述第二通道包括从所述中心通道延伸的多个通道。

4.如权利要求1所述的半导体处理系统，其中所述适配器进一步限定提供用来进出所述第三通道的端口。

5.如权利要求1所述的半导体处理系统，进一步包括耦接在所述适配器与所述处理腔室之间的隔离器，其中所述隔离器包括围绕隔离器通道的环形构件，并且其中所述隔离器通道与所述第二通道和所述第三通道流体耦接。

6.如权利要求5所述的半导体处理系统，其中所述隔离器包括陶瓷。

7.如权利要求5所述的半导体处理系统，进一步包括耦接在所述隔离器与所述处理腔室之间的混合歧管。

8.如权利要求7所述的半导体处理系统，其中所述混合歧管由具有的直径等于所述隔离器通道的直径的入口来表征。

9.如权利要求8所述的半导体处理系统，其中所述混合歧管的所述入口过渡到所述混合歧管的锥形区段。

10.如权利要求9所述的半导体处理系统，其中所述混合歧管的所述锥形区段过渡到所述混合歧管的扩口区段，所述扩口区段延伸到所述混合歧管的出口。

11.一种半导体处理系统，所述半导体处理系统包括：

远程等离子体单元；

处理腔室，所述处理腔室包括：

气体箱，所述气体箱限定中心通道，

阻挡板，所述阻挡板与所述气体箱耦接，其中所述阻挡板限定穿过所述阻挡板的多个孔，

面板，所述面板在所述面板的第一表面处与所述气体箱耦接，和

离子抑制元件，所述离子抑制元件在所述面板的与所述面板的所述第一表面相对的第二表面处与所述面板耦接；以及

适配器，所述适配器与所述远程等离子体单元耦接，其中所述适配器包括第一端和与所述第一端相对的第二端，其中所述适配器在所述第一端处限定通向中心通道的开口，其中所述中心通道由第一直径来表征，其中所述适配器在所述第二端处限定从第二通道离开的出口，其中所述适配器在所述适配器内、在所述第一端与所述第二端之间限定所述中心通道与所述第二通道之间延伸并且将所述中心通道与所述第二通道流体耦接的过渡部，其中所述第二通道由小于或等于所述第一直径和所述过渡部的最小直径的外径来表征，其中所述适配器限定所述过渡部与所述适配器的所述第二端之间的第三通道，并且其中所述第三通道与所述适配器内的所述中心通道和所述第二通道流体隔离。

12.如权利要求11所述的半导体处理系统，进一步包括加热器，所述加热器围绕耦接到所述气体箱的混合歧管在外部耦接到所述气体箱。