[发明专利]三维存储器以及三维存储器的制造方法

权利要求书

1.一种三维存储器的制造方法，其特征在于，包括：

提供栅极预留堆叠结构，所述栅极预留堆叠结构包括若干层间隔排列的栅极预留层、以及穿过所述栅极预留堆叠结构的柱状结构，所述柱状结构包括沟道层以及至少环绕所述沟道层的存储器层；

在所述柱状结构的上方形成漏极；

所述漏极的侧壁与所述存储器层的外侧壁对齐，或者，所述漏极沿所述柱状结构的径向向外的方向突出于所述存储器层的外侧壁。

2.如权利要求1所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，

在所述柱状结构的上方形成漏极的步骤包括：

在所述柱状结构的上方及所述栅极预留堆叠结构的上方形成漏极材料层、以及位于所述漏极材料层之上的图形化刻蚀保护层，所述图形化刻蚀保护层用于定义所述漏极的形状；

以所述图形化刻蚀保护层为掩模对所述漏极材料层进行刻蚀，以形成所述漏极。

3.如权利要求2所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，

所述刻蚀为干法刻蚀。

4.如权利要求3所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，

进行所述干法刻蚀时，对所述漏极的位于所述柱状结构的上方的部分施加偏置电场。

5.如权利要求2所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，

所述刻蚀后，还包括利用湿法刻蚀去除残留的所述图形化刻蚀保护层的步骤。

6.如权利要求2所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，

所述图形化刻蚀保护层为无定形碳层。

7.如权利要求1所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，所述栅极预留堆叠结构的形成方法包括：

在衬底上形成伪栅/介电层堆叠结构，所述伪栅/介电层堆叠结构包括交替堆叠的若干栅极预留层和若干介电层；

在所述伪栅/介电层堆叠结构上形成图形化硬掩模层；

以所述图形化硬掩模层为掩模对所述伪栅/介电层堆叠结构进行刻蚀，以形成沟道孔；

在所述沟道孔内形成初始柱状结构，所述柱状结构包括沟道层以及至少环绕所述沟道层的存储器层；

去除所述图形化硬掩模层；

去除所述初始柱状结构突出于所述伪栅/介电层堆叠结构的部分，以形成所述柱状结构。

8.如权利要求1所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，所述栅极预留层、图形化硬掩模层的材料包括氮化硅。

9.一种三维存储器，其特征在于，包括：

栅极堆叠结构，包括若干层间隔排列的栅极层；

穿过所述栅极堆叠结构的柱状结构，所述柱状结构包括沟道层以及至少环绕所述沟道层的存储器层；以及

位于所述柱状结构上方的漏极，所述漏极的侧壁与所述存储器层的外侧壁对齐，或者，所述漏极沿所述柱状结构的径向向外的方向突出于所述存储器层的外侧壁。

10.如权利要求9所述的三维存储器，其特征在于，

所述漏极的上方形成有导电接触孔，所述导电接触孔与所述漏极电连接。

11.如权利要求9所述的三维存储器，其特征在于，所述漏极的材料与所述沟道层的材料相同。

12.如权利要求11所述的三维存储器，其特征在于，所述材料包括多晶硅。