[发明专利]接触结构

说明书

本发明涉及接触结构。本公开涉及半导体结构，更特别地，涉及位于有源栅极结构之上的接触以及制造方法。所述结构包括：由位于侧壁材料之间的导电材料构成的有源栅极结构；位于所述侧壁材料上方的上侧壁材料，所述上侧壁材料与所述侧壁材料的材料不同；以及与所述有源栅极结构中的所述导电材料电接触的接触结构。所述接触结构位于所述侧壁材料之间和所述上侧壁材料之间。

技术领域

本公开涉及半导体结构，更特别地，涉及接触结构和制造方法。

背景技术

随着半导体工艺继续向下缩小，例如，缩放，特征之间的期望间隔(即，栅距(pitch))也变小。为此，在较小的技术节点中，由于关键尺寸(CD)缩放和处理能力以及用于制造这种结构的材料，制造例如互连的后段制程(BEOL)和中段制程(MOL)金属化特征甚至变得更加困难。

例如，为了制造用于有源栅极接触和源极/漏极接触的互连结构，有必要去除栅极结构上方和邻近栅极结构的电介质材料。该电介质材料的去除通过蚀刻工艺来提供，该蚀刻工艺也倾向于侵蚀栅极结构中的隔离物材料。也就是，在用于形成接触的开口的下游蚀刻工艺中，用于栅极结构的隔离物或侧壁的低k电介质材料可被侵蚀掉。这种侧壁材料的损失将暴露栅极结构中的金属材料，导致栅极结构中的金属材料与用于形成接触的金属材料本身之间的短路。

发明内容

在本公开的一方面，一种结构包括：由位于侧壁材料之间的导电材料构成的有源栅极结构；位于所述侧壁材料上方的上侧壁材料，所述上侧壁材料与所述侧壁材料的材料不同；以及与所述有源栅极结构中的所述导电材料电接触的接触结构，所述接触结构位于所述侧壁材料之间和所述上侧壁材料之间。

在本公开的一方面，一种结构包括：形成在衬底上的下侧壁材料；位于所述下侧壁材料上方的上侧壁材料，所述上侧壁材料具有不同于所述下侧壁材料的蚀刻选择性；位于所述下侧壁材料之间的有源栅极结构；以及与所述有源栅极结构电接触的接触结构。所述接触结构从所述上侧壁材料之间延伸并到所述上侧壁材料上方的层间电介质材料中。

在本公开的一方面，一种方法包括：在半导体衬底上形成栅极结构；形成与所述栅极结构邻近的接触材料；使所述接触材料凹陷以形成凹腔；在所述凹腔的侧壁上形成隔离物；在所述隔离物之上用电介质材料填充所述凹腔；以及平坦化所述电介质材料。

附图说明

通过本公开的示例性实施例的非限制性实例并参考所述多个附图，在以下详细描述中描述本公开。

图1示出了根据本公开的方面的除了其他特征之外的具有源极/漏极区域的有源栅极结构以及相应的制造方法。

图2示出了根据本公开的方面的除了其他特征之外的位于邻近有源栅极结构之间的凹陷的绝缘体材料(例如，形成腔结构)以及相应的制造方法。

图3示出了根据本公开的方面的除了其他特征之外的位于腔结构内的导电填充材料以及相应的制造方法。

图4示出根据本公开的方面的除了其他特征之外的导电填充材料的凹陷以形成扩大的腔结构以及相应的制造方法。

图5示出了根据本公开的方面的除了其他特征之外的对图4的腔进行加衬的侧壁材料以及相应制造方法。

图6示出了根据本公开的方面的除了其他特征之外的填充扩大的腔结构的绝缘体材料以及相应的制造方法。

图7A和7B示出了根据本公开的方面的除了其他特征之外的用于有源栅极结构和源极/漏极区域的接触开口以及相应的制造方法。

图8A和8B示出了根据本公开的方面的除了其他特征之外的填充接触开口的接触材料以及相应的制造方法。

具体实施方式