[发明专利]用于多前体流的半导体处理腔室

说明书

公开了用于多前体流的半导体处理腔室。示例性半导体处理系统可以包括处理腔室，并且可以包括与所述处理腔室耦合的远程等离子体单元。示例性系统还可以包括与所述远程等离子体单元耦合的适配器。所述适配器可以包括第一端和与所述第一端相对的第二端。所述适配器可以限定通过所述适配器的中央通道。所述适配器可以在所述第二端处限定从第二通道的出口。所述中央通道、所述第二通道、和所述第三通道可以各自在所述适配器内互相流体隔离。

技术领域

本技术涉及半导体系统、工艺和设备。更具体地，本技术涉及用于在系统和腔室内递送前体的系统和方法。

背景技术

通过在基板表面上产生复杂图案化材料层的工艺而使集成电路成为可能。在基板上产生图案化材料需要用于去除暴露材料的受控的方法。化学蚀刻用于多种目的，包括将光刻胶中的图案转移到下面的层中，减薄层或减薄已经存在于表面上的特征的横向尺寸。通常期望具有比另一种材料更快地蚀刻一种材料的蚀刻处理，这有利于例如图案转移工艺或单独的材料去除。这种蚀刻工艺被称为对第一种材料是有选择性的。由于材料、电路和工艺的多样性，已经开发了对各种材料具有选择性的蚀刻工艺。

基于用于工艺的材料，蚀刻工艺可以被称为湿法或干法。湿法HF蚀刻优先去除其他电介质和材料上的氧化硅。然而，湿法工艺可能难以穿透某些受限制的沟槽，并且有时还可能使剩余材料变形。干法蚀刻工艺可以渗透到复杂的特征和沟槽中，但可能无法提供可接受的顶部到底部轮廓。随着下一代设备中设备尺寸的不断缩小，系统将前体递送进腔室并通过腔室的方式可能会产生越来越大的影响。由于处理条件的均匀性的重要性不断增加，腔室设计和系统设置可对生产的器件的质量起着重要的作用。

因此，需要可用于生产高质量器件和结构的改进的系统和方法。本技术解决了这些和其他需求。

发明内容

示例性半导体处理系统可以包括处理腔室，并且可以包括与处理腔室耦合的远程等离子体单元。示例性系统还可以包括与远程等离子体单元耦合的适配器。适配器可以包括第一端和与第一端相对的第二端。适配器可以限定穿过适配器的中央通道。适配器可以限定在第二端处从第二通道的出口，并且适配器可以限定在第二端处从第三通道的出口。中央通道、第二通道和第三通道可以各自在适配器内彼此流体隔离。

在一些实施例中，第二通道可以包括至少部分地延伸通过适配器的垂直横截面的第一环形通道，并且第二通道可以围绕中央通道来限定。适配器还可以限定位于适配器的外部的第一端口，并且第一端口可以被配置成提供到第二通道的流体通路。第三通道可以包括至少部分地延伸通过适配器的垂直横截面的第二环形通道，并且第三通道可以围绕第二通道来限定。适配器还可以限定位于适配器的外部的第二端口，并且第二端口可以被配置成提供到第三通道的流体通路。在一些实施例中，中央通道、第二通道和第三通道可以同心对准。该系统还可以包括耦合在适配器和远程等离子体单元之间的隔离器。在实施例中，隔离器可以是或包括陶瓷。该系统还可以包括耦合在适配器和处理腔室之间的混合歧管。混合歧管可以被表征为入口的直径大于或等于第三通道的外径。混合歧管的入口可以过渡为混合歧管的锥形部分。另外，混合歧管的锥形部分可以过渡为延伸到混合歧管的出口的混合歧管的扩口部分。

本技术还包括半导体处理系统，其可以包括远程等离子体单元。该系统还可以包括处理腔室。处理腔室可以包括限定中央通道的气体箱。处理腔室还可以包括与气体箱耦合的区隔板。区隔板可以限定穿过区隔板的多个孔。处理腔室还可以包括面板，该面板在面板的第一表面处与区隔板耦合。处理腔室还可以包括在面板的与面板的第一表面相对的第二表面处与面板耦合的离子抑制元件。