[发明专利]一种单向NPN穿通型超低压TVS结构及其制备方法

权利要求书

1.一种单向NPN穿通型超低压TVS结构，其结构包括：NPN区301、NP区302、DN隔离区303以及DN连通区304，

A、NPN区301结构包括：背面金属上面是衬底，衬底上面是外延层，衬底和外延层里面包含DP，DP里面包含SN，外延层上面是SiO₂层，SiO₂层部分打开，SiO₂层上面是正面金属，正面金属部分打开，正面金属上面是钝化层，钝化层部分打开，其中，DP与衬底相连，SN与正面金属相连且通过正面金属与NP区302的SN相连；

B、NP区302结构包括：背面金属上面是衬底，衬底上面是外延层，衬底和外延层里面包含DP，DP里面包含SN和SP，外延层上面是SiO₂层，SiO₂层部分打开，SiO₂层上面是正面金属，正面金属部分打开，正面金属上面是钝化层，其中，DP与衬底相连，SN与正面金属相连，且SN通过正面金属与NPN区301的SN相连，SP与正面金属相连，且SP通过正面金属与DN连通区304的SN相连，NP区302内的SN与SP不相连；

C、DN隔离区303结构包括：背面金属上面是衬底，衬底上面是外延层，衬底和外延层里面包含DN，DN里面包含SN，外延层上面是SiO₂层，SiO₂层上面是正面金属，正面金属部分打开，正面金属上面是钝化层，其中DN与衬底相连；

D、DN连通区304结构包括：背面金属上面是衬底，衬底上面是外延层，衬底和外延层里面包含DN，DN里面包含SN，外延层上面是SiO₂层，SiO₂层部分打开，SiO₂层上面是正面金属，正面金属部分打开，正面金属上面是钝化层，其中DN与衬底相连，SN与正面金属相连，且通过正面金属与NP区302的SP相连。

2.一种单向NPN穿通型超低压TVS的制备方法，其方法包括：

A、衬底211的准备及外延层212的制备，在N型低阻单晶硅上，生长P型高阻单晶硅层；

B、DN221制备，通过POCL₃工艺掺杂，高温扩散至DN与衬底211连通；

C、SP231制备，离子注入高浓P型杂质；

D、DP241制备，离子注入P型杂质，高温退火；

E、SN251制备，通过POCL₃工艺掺杂P元素，高温退火；

F、引线孔制备，SiO₂层261淀积，光刻，SiO₂刻蚀；

G、正面金属271制备，金属层淀积，光刻，金属层刻蚀，去胶；

H、钝化层281制备，SiO₂淀积，SiN淀积，光刻，SiN刻蚀，SiO₂刻蚀，去胶；

I、背面减薄及背面金属291化。