[发明专利]防止铜引线框架和铁引线框架混料的芯片分选系统有效
申请号: | 201810475336.1 | 申请日: | 2018-05-17 |
公开(公告)号: | CN108666245B | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
发明(设计)人: | 顾汉玉;张建文 | 申请(专利权)人: | 华润赛美科微电子(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平 |
地址: | 518172 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 防止 引线 框架 芯片 分选 系统 | ||
1.一种防止铜引线框架和铁引线框架混料的芯片分选系统,其特征在于,包括:
送料设备,包括出料口,用于将已封装了引线框架的芯片从所述出料口均匀地送出;
辅助送料设备,包括进料端和出料端,所述进料端用于承接所述出料口送出的所述芯片,所述辅助送料设备用于将从所述进料端进入的所述芯片输送至所述出料端,且在输送过程中调整所述芯片从而形成有序的队列;
磁体,用于在所述系统对芯片进行电性能测试之前对使用铜引线框架封装的芯片进行分选时设置在所述进料端或出料端附近以吸附混入的铁引线框架;及
芯片分选设备,用于从所述辅助送料设备的出料端将所述芯片送至指定位置。
2.根据权利要求1所述的防止铜引线框架和铁引线框架混料的芯片分选系统,其特征在于,还包括测试设备,用于接收所述芯片分选设备送来的芯片并进行电性能测试。
3.根据权利要求1所述的防止铜引线框架和铁引线框架混料的芯片分选系统,其特征在于,所述系统用于分选封装后的光耦芯片。
4.根据权利要求3所述的防止铜引线框架和铁引线框架混料的芯片分选系统,其特征在于,所述送料设备中的所述芯片是已经完成了高压交流测试的芯片,所述高压交流测试的测试电压大于1000伏特。
5.根据权利要求4所述的防止铜引线框架和铁引线框架混料的芯片分选系统,其特征在于,所述测试设备用于进行低压直流测试,所述低压直流测试的测试电压小于所述高压交流测试的测试电压。
6.根据权利要求1所述的防止铜引线框架和铁引线框架混料的芯片分选系统,其特征在于,所述送料设备是料斗。
7.根据权利要求1所述的防止铜引线框架和铁引线框架混料的芯片分选系统,其特征在于,所述辅助送料设备是振动盘。
8.根据权利要求1所述的防止铜引线框架和铁引线框架混料的芯片分选系统,其特征在于,还包括位移机构,所述位移机构包括载物端,所述磁体固定于所述载物端,所述位移机构用于在所述系统对使用铜引线框架封装的芯片进行分选时、将所述磁体移动至所述进料端或出料端附近以吸附混入的铁引线框架的芯片,所述位移机构还用于在所述系统对使用铁引线框架封装的芯片进行分选时将所述磁体移动至远离所述送料设备和辅助送料设备。
9.根据权利要求1所述的防止铜引线框架和铁引线框架混料的芯片分选系统,其特征在于,所述磁体是电磁铁,所述系统还包括磁性控制模块,用于在所述系统对使用铜引线框架封装的芯片进行分选时、给所述电磁铁通电以产生电磁,所述磁性控制模块还用于在所述系统对使用铁引线框架封装的芯片进行分选时控制所述电磁铁消磁。
10.根据权利要求1所述的防止铜引线框架和铁引线框架混料的芯片分选系统,其特征在于,所述芯片分选设备包括吸嘴。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造