[发明专利]基板处理装置和基板处理方法

权利要求书

1.一种基板处理方法，其特征在于，包括：

通过向基板照射激光去除一部分薄膜；和

在去除所述一部分薄膜后，通过向所述基板供应化学品来去除剩余部分的薄膜。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述薄膜是氮化硅。

3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述激光包括可见光的波段的波长。

4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述激光包括红外线的波段的波长。

5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，在照射所述激光的一部分区域中，设置所述基板以施用所述化学品。

6.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述基板设置成在照射所述激光时旋转，并且照射所述基板的激光经由所述基板的旋转中心照射在所述基板的半径区域上。

7.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述基板设置成在照射所述激光时旋转，并且照射所述基板的激光经由所述基板的旋转中心照射在所述基板的直径区域上。

8.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述基板设置成在照射所述激光时旋转，照射所述基板的所述激光在所述基板的径向方向上具有小于所述基板的半径的宽度，且所述激光沿所述基板的径向方移动。

9.根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，当所述激光接近外缘区域时的所述激光的移动速度低于所述激光接近所述基板的旋转中心时的所述激光的移动速度。

10.一种基板处理装置，其特征在于，包括：

壳体；

基板支撑构件，所述基板支撑构件位于所述壳体的内部并且构造成对基板进行支撑；

激光照射器，所述激光照射器构造成通过向基板照射激光来初次处理所述基板上的薄膜；和

喷射构件，所述喷射构件构造成通过向所述基板供应处理液体来二次处理在基板被激光处理之后存留的材料。

11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板处理装置还包括：

控制器，所述控制器构造成控制所述基板支撑构件，从而当照射所述激光时所述基板旋转，

其中，由所述激光照射器照射的激光经由所述基板的旋转中心照射在所述基板的半径区域上。

12.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板处理装置还包括：

控制器，所述控制器构造成控制所述基板支撑构件，从而当照射所述激光时所述基板旋转，

其中，由所述激光照射器照射的激光经由所述基板的旋转中心照射在所述基板的直径区域上。

13.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板处理装置还包括：

控制器，所述控制器构造成控制所述基板支撑构件，从而当照射所述激光时所述基板旋转，并且控制所述激光照射器，从而由所述激光照射器照射的激光在所述基板的径向方向上移动，同时所述激光在所述基板的径向方向上具有小于所述基板的半径的宽度。

14.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，所述控制器控制所述激光照射器，从而当所述激光接近外缘区域时所述激光的移动速度低于所述激光接近所述基板的旋转中心时的所述激光的移动速度。

15.一种基板处理装置，其特征在于，包括：

第一工艺腔室，所述第一工艺腔室构造成通过向基板照射激光来初次处理所述基板上的薄膜；和

第二工艺腔室，所述第二工艺腔室构造成通过向已在所述第一工艺腔室中处理过的基板供应处理液来二次处理存留在所述基板上的材料。