[发明专利]一种含有含氮杂环的芳香胺化合物及其有机电致发光器件

说明书

本发明提供一种含有含氮杂环的芳香胺化合物及其有机电致发光器件，涉及有机光电材料技术领域。该类化合物制备方法简单、原料易得，具有很好的热稳定性和化学稳定性，同时具有很好的空穴传输能力。该类化合物具有适合的最高占据分子轨道能级、高T1值和高折射率，可以实现发光层内的电荷均衡。该类化合物作为发光辅助层应用于OLED器件中，可以显著地提高器件的发光效率、耐热性和寿命，同时还能有效降低器件的驱动电压，是一类性能优良的OLED材料。

技术领域

本发明涉及有机光电材料技术领域，具体涉及一种含有含氮杂环的芳香胺化合物及其有机电致发光器件。

背景技术

有机发光二极管(OLED)是双注入型发光器件，将电能直接转化为有机半导体材料分子的光能，采用的是电致发光物理机制，无需背光灯，具有自发光的特性，基本结构是由氧化铟锡阳极、有机物层和金属阴极组成。作为继阴极射线管(CRT)、液晶显示器(LCD)之后的第三代显示技术，具有高亮度、高对比度、高清晰度、宽视角、宽色域、低功耗、宽温度、发光效率高、反应时间短、透明、柔性等优点，具有很好的应用前景。

OLED材料分为发光材料、空穴传输材料、电子传输材料等。其中，空穴传输材料作为OLED器件中不可或缺的功能材料，通常具有低的最高已占据分子轨道(HOMO)值，大部分具有低T1值，因此，在发光层中生成的激子扩散到空穴传输层界面或者空穴传输层侧，最终导致在发光层内界面的发光或者发光层内的电荷不均衡，从而在空穴传输层的界面上发光，使有机电气元件的色纯度及效率变低，并且寿命变短。因此，迫切需要开发一种发光辅助层，所述发光辅助层的最高已占据分子轨道能级在空穴传输层的最高已占据分子轨道能级和发光层的最高已占据分子轨道能级之间，且具有高T1值，并在驱动电压范围内具有适当的空穴迁移率。

发明内容

针对现有技术存在的上述问题，本发明提供一种含有含氮杂环的芳香胺化合物及其有机电致发光器件。

本发明提供了一种含有含氮杂环的芳香胺化合物，结构式如式(I)所示：

其中，X选自C或N，L选自单键、C6～C30的取代或未取代的二价芳基、C3～C30的取代或未取代的二价杂芳基，Ar₁、Ar₂、Ar₃、Ar₄独立地选自C6～C60的取代或未取代的芳基、C3～C60的取代或未取代的杂芳基，或者Ar₁与Ar₂相连形成含氮五元杂环，或者Ar₃与Ar₄相连形成含氮五元杂环。

优选的，所述L选自单键或如下基团：

其中，R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈独立地选自氢、氰基、氟原子、甲氧基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基。

优选的，所述的Ar₁、Ar₂、Ar₃、Ar₄独立地选自以下基团：