[发明专利]基于纳米阵列的弹道输运肖特基二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种基于纳米阵列的弹道输运肖特基二极管的制作方法，其特征在于包括：

在导电衬底的第一表面形成半导体层，之后对所述半导体层进行加工以形成至少一个半导体纳米凸起部的前体，或者，在导电衬底的第一表面直接外延生长形成至少一个半导体纳米凸起部的前体；以及

对所述至少一个半导体纳米凸起部的前体进行物理和/或化学处理，使之形成所述的至少一个半导体纳米凸起部，并使所述半导体纳米凸起部与所述导电衬底的第一表面电连接，所述半导体纳米凸起部的高度小于或等于载流子平均自由程，其中，所述半导体纳米凸起部的材质包括Si、GaN、GaAs、ZnO、Ga₂O₃或者SiC；

制作第一电极，并使所述半导体纳米凸起部的底端与导电衬底的第一表面形成欧姆接触，顶端与第一电极形成肖特基接触；

制作第二电极，并使第二电极与导电衬底的第二表面电连接。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于具体包括：在导电衬底的第一表面设置由间隔分布的复数个半导体纳米凸起部组成的纳米凸起部阵列。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于还包括：在所述纳米凸起部阵列内的空隙中填充绝缘介质。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于：所述绝缘介质包括空气、氧化硅或氮化硅。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述导电衬底的第二表面与第二电极形成欧姆接触。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述半导体纳米凸起部的形状包括圆柱状、圆台状、圆锥状和棱锥状中的任意一种或两种以上的组合。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述半导体纳米凸起部的材质包括N型或P型或本征半导体。