[发明专利]一种适用于化学气相淀积过程中的基座

说明书

本发明公开了一种适用于化学气相淀积过程中的基座，包括基板，基板的上端面通过滚压装置开设有若干第一凹槽，滚压装置包括压辊，压辊侧壁上开设有通孔，压辊一端固定连接有底板，底板内壁开设有环形滑道，环形滑道内滑动连接有两个滑条，两个滑条远离底板一端面固定连接有同一个弹性气囊的一端，弹性气囊内部滑动有活塞，活塞一端面固定连接有连接杆，连接杆的另一端依次贯穿弹性气囊的顶壁、压辊的顶壁到达外部并固定连接有推板，弹性气囊的侧壁贯通固接有输气管道，输气管道的另一端固定连接有弹性密封头。本发明制作出的质量统一的基板，可以实现在基板上进行有效率的热传导，可以防止电弧发生，且能防止工艺中基板损伤，具有较强的实用性。

技术领域

本发明涉及一种基座，尤其涉及一种适用于化学气相淀积过程中的基座。

背景技术

现有技术中，半导体器件的加工制造过程中，需要在半导体晶片(wafer)上生成导电薄膜层、绝缘薄膜层等各种薄膜层(thin-film)以及各种沟槽、开口等，生成薄膜层和沟槽等的步骤对半导体器件加工而言是至关重要的环节。

一般情况下，薄膜层的生成可以通过PVD(物理气相淀积，又称溅射)、热氧化及CVD(化学气相淀积)等手段实现，沟槽、开口等可以通过刻蚀的方式实现。现有技术中的CVD、热氧化及刻蚀设备的共同点是，均需将待加工的晶片放置在基座上，之后在设备的腔体中进行相应的反应过程，在晶片的加工过程中，为了加快反应速度、提高加工效率等，往往对反应环境的温度会有一定的要求。在控制设备腔体温度的方法中，比较常用的一种方式就是给基座加热，之后由基座将热量传递给位于基座上方的晶片，从而控制反应速度等。

但是，依靠传统技术基板无法形成有效的热传导，同时，存在因电弧发生使基板受损的问题。为此，提出一种等离子增强化学气相淀积支撑基座。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有技术中基板无法形成有效的热传导的缺点，而提出的一种适用于化学气相淀积过程中的基座。

为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：

设计一种适用于化学气相淀积过程中的基座，包括基板，基板的下表面开设有第二凹槽，第二凹槽为不规则形状，第二凹槽内部铺设有导热线，基板下端面匹配设有基板覆盖层，基板覆盖层中部贯穿固接有轴杆；基板的上端面通过滚压装置开设有若干第一凹槽，滚压装置包括压辊，压辊内部中空，压辊侧壁上开设有若干通孔，压辊一端固定连接有底板，底板内壁开设有环形滑道，环形滑道内滑动连接有两个滑条，两个滑条远离底板一端面固定连接有同一个弹性气囊的一端，弹性气囊内部滑动有活塞，活塞一端面固定连接有连接杆，连接杆的另一端依次贯穿弹性气囊的顶壁、压辊的顶壁到达外部并固定连接有推板，弹性气囊的侧壁贯通固接有输气管道的一端，输气管道的另一端贯穿通孔到达压辊外部并固定连接有弹性密封头。

优选的，轴杆外部包裹有轴杆覆盖层，轴杆覆盖层与基板覆盖层厚度相同、材料相同。

优选的，弹性密封头的形状为矩形、球形、锥形中的任意一种。

优选的，两个滑条的两端分别通过连接弹簧相连接。

优选的，轴杆为中空结构。

本发明提出的一种适用于化学气相淀积过程中的基座，有益效果在于：本发明中设置的滚压装置通过设置弹性气囊以及配合设置的活塞、连接杆、推板、输气管道和可更换的弹性密封头，能够达到根据需求对弹性气囊进行加压，进而对弹性密封头进行压力的控制，达到控制第一凹槽的深度的目的，同时，不同的形状的弹性密封头能够制成不同形状的第一凹槽，适应于各种形状的半导体制作需求。

制作出的质量统一的基板，可以实现在基板上进行有效率的热传导，可以防止电弧发生，且能防止工艺中基板损伤，具有较强的实用性。

附图说明

图1为本发明的立体结构示意图。