[发明专利]一种反射式DOE衍射器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201810477579.9 | 申请日： | 2018-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN108717215A | 公开（公告）日： | 2018-10-30 |
| 发明（设计）人： | 胡超 | 申请（专利权）人： | 无锡中微掩模电子有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18 |
| 代理公司： | 北京华际知识产权代理有限公司 11676 | 代理人： | 李浩 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶硅层 铝层 单晶硅基板 衍射器件 保护膜 反射式 掩模板 光刻 制备 微电子工艺 微光学器件 衍射 加工 | ||
【权利要求书】：
1.一种反射式DOE衍射器件，其特征在于：包括单晶硅基板(1)、多晶硅层(2)和光刻掩模板(3)，所述多晶硅层(2)设在单晶硅基板(1)上，所述光刻掩模板(3)设在多晶硅层(2)上，还包括铝层(4)和保护膜(5)，所述铝层(4)设在多晶硅层(2)上，所述保护膜(5)设在铝层(4)上。
2.一种反射式DOE衍射器件的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤一：制备具有光学微结构的掩模板用于光刻；
步骤二：在单晶硅基板上生长厚度为a的多晶硅用于刻蚀；
步骤三：利用掩模板对多晶硅层进行光刻和显影；
步骤四：对多晶硅层进行蚀刻到深度b；
步骤五：在图形上镀上铝层作为反射层；
步骤六：在图形上生长透明保护薄膜。
3.根据权利要求1所述的反射式DOE衍射器件的制备方法，其特征在于：所述多晶硅的生长厚度a为1μm。
4.根据权利要求1所述的反射式DOE衍射器件的制备方法，其特征在于：所述深度b为250nm±40nm。
5.根据权利要求1所述的反射式DOE衍射器件的制备方法，其特征在于：所述铝层的厚度为50nm±20nm。
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